Development of minimal configuration resistive switching memory using silicide filament method

使用硅化物丝方法开发最小配置电阻开关存储器

基本信息

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寺垣亮太、小林航平、吉田晴彦、新船浩二、神吉辉雄、堀田育志

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
寺垣亮太;吉田晴彦;新船幸二;神吉輝夫;堀田育志;小林滉平，寺垣亮太，吉田晴彦，新船幸二，堀田育志;Al/金属酸化物/Si構造における抵抗スイッチング現象
通讯作者：
Al/金属酸化物/Si構造における抵抗スイッチング現象

Al/HfO2/n-Si(100) 结构中电阻变化现象的器件尺寸依赖性

Al/金属氧化物/HfO2/Si结构金属氧化物对电阻切换的影响

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用硬 X 射线磁圆二色性研究 LaMnO3/SrIrO3 超晶格中的 Ir 磁性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhang Yujun;Kim Minjae;Mravlje Jernej;Sohn Changhee;Choi Yongseong;Strempfer Joerg;Hotta Yasushi;Yasui Akira;Nichols John;Lee Ho Nyung;Wadati Hiroki;和達大樹;和達大樹;Yujun Zhang;和達大樹;Yujun Zhang;Yujun Zhang
通讯作者：
Yujun Zhang

利用共振硬 X 射线光电发射光谱系统研究 La1-xSrxVO3 薄膜的电子结构

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhang Yujun;Kim Minjae;Mravlje Jernej;Sohn Changhee;Choi Yongseong;Strempfer Joerg;Hotta Yasushi;Yasui Akira;Nichols John;Lee Ho Nyung;Wadati Hiroki;和達大樹;和達大樹;Yujun Zhang;和達大樹;Yujun Zhang
通讯作者：
Yujun Zhang

利用时间分辨X射线磁圆二色性研究BiFeO3/(La,Sr)MnO3异质结构中的铁电光伏效应

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhang Yujun;Kim Minjae;Mravlje Jernej;Sohn Changhee;Choi Yongseong;Strempfer Joerg;Hotta Yasushi;Yasui Akira;Nichols John;Lee Ho Nyung;Wadati Hiroki;和達大樹;和達大樹;Yujun Zhang
通讯作者：
Yujun Zhang

在 GdBaCo2O5.5 薄膜中观察到光致铁磁-反铁磁转变

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhang Yujun;Kim Minjae;Mravlje Jernej;Sohn Changhee;Choi Yongseong;Strempfer Joerg;Hotta Yasushi;Yasui Akira;Nichols John;Lee Ho Nyung;Wadati Hiroki;和達大樹;和達大樹;Yujun Zhang;和達大樹
通讯作者：
和達大樹

使用自旋波对金刚石中 NV 中心的自旋操纵进行广域观察

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hotta Yasushi;Kawayama Iwao;Miyake Shozo;Saiki Ikuya;Nishi Shintaro;Yamahara Kota;Arafune Koji;Yoshida Haruhiko;Satoh Shin-ichi;Sawamoto Naomi;Ogura Atsushi;Ito Akira;Nakanishi Hidetoshi;Tonouchi Masayoshi;Tabata Hitoshi;北川涼太,水野皓介,石綿整,安東秀,岩崎孝之,波多野睦子
通讯作者：
北川涼太,水野皓介,石綿整,安東秀,岩崎孝之,波多野睦子