TEM operand and first principles analysis of mechanisms of time-dependent oxide memristor properties

氧化物忆阻器特性随时间变化的 TEM 操作数和第一性原理分析

基本信息

批准号：
19K04468
负责人：
Tohei Tetsuya
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（31）

专著数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察

平面 TiO2-x 忆阻器元件电阻变化区域的原位 TEM 观察

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
谷口奈穂;藤平哲也;林侑介;酒井朗
通讯作者：
酒井朗

４端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装

使用 4 端 TiO2-x 薄膜忆阻器元件实现突触特性

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
三宅亮太郎，林侑介;藤平哲也，酒井朗
通讯作者：
藤平哲也，酒井朗

Versatile Functionality of Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing

DOI：
10.1021/acsaelm.2c00161
发表时间：
2022-05-24
期刊：
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS
影响因子：
4.7
作者：
Miyake, Ryotaro;Nagata, Zenya;Sakai, Akira
通讯作者：
Sakai, Akira

4端子平面型TiO2-x メモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装

基于四端平面 TiO2-x 忆阻器元件中氧空位分布的二维控制实现 STP/LTP 特性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
安達健太;酒井朗;藤平哲也;林侑介;三宅亮太郎
通讯作者：
三宅亮太郎

Researchgate Tohei's personal page

研究门东平的个人页面

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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Analysis of Ti valence state in resistive switching region of rutile TiO2-x four-terminal memristive device

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影响因子：
0
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通讯作者：
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0
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通讯作者：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
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通讯作者：
清水拓磨，竹内正太郎，藤平哲也，酒井朗

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批准号：
23H00238
财政年份：
2023
资助金额：
$ 2.83万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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批准号：
23K13538
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资助金额：
$ 2.83万
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

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批准号：
22K04984
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批准号：
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