Structural performance of RC members subjected to chemical expansion due to DEF
由于 DEF 导致化学膨胀的 RC 构件的结构性能
基本信息
- 批准号:20K04650
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Study on deformation behavior and structural performance of RC beams subjected to Delayed Ettringite Formation
延迟钙矾石形成RC梁变形行为及结构性能研究
- DOI:10.11532/structcivil.67a.645
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石川靖晃;上田尚史
- 通讯作者:上田尚史
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Ishikawa Yasuaki其他文献
Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Using High-k SrTa2O6 as Gate Insulator Deposited by Sputtering Method
溅射法沉积高k SrTa2O6作为栅绝缘体非晶InGaZnO薄膜晶体管的改进
- DOI:
10.1002/pssa.201700773 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Takahashi Takanori;Hoga Takeshi;Miyanaga Ryoko;Oikawa Kento;Fujii Mami N.;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu;Uchiyama Kiyoshi - 通讯作者:
Uchiyama Kiyoshi
Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al2O3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C
使用二甲基氢化铝在 200 °C 下原子层沉积 Al2O3 钝化的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的偏置应力和湿度暴露
- DOI:
10.1088/1361-6463/ab6e97 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Corsino Dianne C;Bermundo Juan Paolo S;Fujii Mami N;Takahashi Kiyoshi;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu - 通讯作者:
Uraoka Yukiharu
Significant mobility improvement of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors annealed in a low temperature wet ambient environment
低温潮湿环境下退火非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率显着提高
- DOI:
10.1063/1.5026515 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:
Jallorina Michael Paul A.;Bermundo Juan Paolo S.;Fujii Mami N.;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu - 通讯作者:
Uraoka Yukiharu
Optimizing the thermoelectric performance of InGaZnO thin films depending on crystallinity via hydrogen incorporation
通过掺氢根据结晶度优化 InGaZnO 薄膜的热电性能
- DOI:
10.1016/j.apsusc.2020.146791 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:6.7
- 作者:
Felizco Jenichi Clairvau;Uenuma Mutsunori;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu - 通讯作者:
Uraoka Yukiharu
Carrier dynamics in the potential-induced degradation in single-crystalline silicon photovoltaic modules
单晶硅光伏组件电势诱导退化中的载流子动力学
- DOI:
10.7567/jjap.57.08rg14 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Islam Mohammad Aminul;Oshima Takuya;Kobayashi Daisuke;Matsuzaki Hiroyuki;Nakahama Hidenari;Ishikawa Yasuaki - 通讯作者:
Ishikawa Yasuaki
Ishikawa Yasuaki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Ishikawa Yasuaki', 18)}}的其他基金
Effect of three-dimensional Si phononic crystal on thermal-electric characteristics
三维硅声子晶体对热电特性的影响
- 批准号:
17K05032 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on evaluation of deterioration for RC structures based on chemical energy
基于化学能的RC结构劣化评价研究
- 批准号:
25420467 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似国自然基金
狼疮易感位点调控DEF6基因介导干扰素通路异常的表观遗传学机制研究
- 批准号:82302024
- 批准年份:2023
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
核仁中Def-Capn3蛋白降解复合体的结构和功能解析及其功能异常导致相关疾病发生的机制研究
- 批准号:U21A20198
- 批准年份:2021
- 资助金额:258 万元
- 项目类别:
Def-Rybp-Capn3a新通路对斑马鱼肝脏发育调控机制的研究
- 批准号:
- 批准年份:2021
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
Def-Capn3蛋白降解新途径调控肝脏发育和再生的分子机制研究
- 批准号:31330050
- 批准年份:2013
- 资助金额:311.0 万元
- 项目类别:重点项目
辣椒育性恢复基因诱导表达的重要候选基因克隆与功能分析
- 批准号:31071806
- 批准年份:2010
- 资助金额:33.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
Travel: DEF CON31 AI Village Travel
旅行:DEF CON31人工智能乡村旅行
- 批准号:
2334744 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Standard Grant
BCI-DEF: Brain Computer Interfaces and Disability: Developing an Inclusive Ethical Framework
BCI-DEF:脑机接口与残疾:制定包容性的道德框架
- 批准号:
10508135 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
BCI-DEF: Brain Computer Interfaces and Disability: Developing an Inclusive Ethical Framework
BCI-DEF:脑机接口与残疾:制定包容性的道德框架
- 批准号:
10662564 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Study on mechanism of DEF occurrence and inhibition based on material and environmental conditions and structural performance of DEF affected members
基于DEF影响构件的材料环境条件和结构性能研究DEF发生和抑制机制
- 批准号:
20H02219 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
The project will involve optical and electrical characterisation of organic semiconductors, simulations of device pixels/neural interface and high def
该项目将涉及有机半导体的光学和电学表征、器件像素/神经接口的模拟以及高清
- 批准号:
2321608 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Studentship