Study on performance and reliability improvements of CdTe/Si X-ray imaging detectors

CdTe/Si X射线成像探测器性能和可靠性改进研究

• 批准号: 20K04619
• 负责人: Niraula Madan
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04619/
• 关键词: 放射線検出器; 医療診断; CdTe; エピタキシャル成長層; ヘテロ接合ダイオード; 暗電流; 転位密度; CdTe厚膜成長層; 転位密度低減; 熱処理; CdTe 厚膜成長層; 放射線画像検出器; 検出器特性; 安定性; X線、ガンマ線; エネルギー識別

项目成果

MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討

MOVPE法在n+-(211)Si上生长CdTe生长层的生长退火研究

• 发表时间: 2021
• 作者: 松原敏樹; 小林竜大; 後藤颯汰; 藤井成弥; 中島幸寛; 平野颯涼; ニラウラ マダン; 安田和人
• 通讯作者: 安田和人

Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis

硅异质结二极管外延 CdTe 型探测器性能与分析

• 发表时间: 2020
• 作者: M. Niraula; K. Yasuda; B. S. Chaudhari; H. Goto; T. Kobayashi; S. Fujii
• 通讯作者: S. Fujii

Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance

蒸发金触点 CdTe 探测器的低温退火及其对探测器性能的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: M. Niraula; K. Yasuda; Y. Takagi;S. Fuji
• 通讯作者: S. Fuji

Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis

硅异质结二极管外延 CdTe 型探测器性能与分析

• 发表时间: 2020
• 作者: M. Niraula; K. Yasuda; B. S. Chaudhari; H. Goto; T. Kobayashi; S. Fujii
• 通讯作者: S. Fujii

Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance

蒸发金触点 CdTe 探测器的低温退火及其对探测器性能的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: M. Niraula; K. Yasuda; Y. Takagi;S. Fuji
• 通讯作者: S. Fuji