Heterojunction formation of conductive diamond and GaN, Ga2O3 for vertical device applications

用于垂直器件应用的导电金刚石和 GaN、Ga2O3 异质结形成

基本信息

批准号：
20K04581
负责人：
Liang Jianbo
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Osaka Metropolitan University (2022)Osaka City University (2020-2021)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（13）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価

n+-Si/p-金刚石异质结二极管的制备及电性能评估

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
上東洋太;大曲新矢;梅沢仁;山田英明;梁剣波;重川直輝
通讯作者：
重川直輝

ラマン分光スペクトルデータ解析事例集

拉曼光谱光谱数据分析实例汇总

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
梁　剣波（担当：第７章3節）
通讯作者：
梁　剣波（担当：第７章3節）

GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価

GaN/金刚石结界面的表征

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
梁剣波;清水康雄;大野裕;永井康介;重川直輝
通讯作者：
重川直輝

High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes

p-Si/p-金刚石异质结二极管的高温稳定性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yota Uehigashi; Shinya Ohmagari; Hitoshi Umezawa; Hideaki Yamada; Jianbo Liang;Naoteru Shigekawa
通讯作者：
Naoteru Shigekawa

ラマン分光スペクトルデータ解析事例集

拉曼光谱光谱数据分析实例汇总

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
梁　剣波（担当：第７章3節）
通讯作者：
梁　剣波（担当：第７章3節）

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作者：
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Liang Jianbo其他文献

Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process

器件制造过程中金刚石/硅键合界面的稳定性

DOI：
10.7567/1882-0786/aaeedd
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Liang Jianbo;Masuya Satoshi;Kim Seongwoo;Oishi Toshiyuki;Kasu Makoto;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

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通过 SiC 层进行 GaN 和金刚石的室温键合

DOI：
10.1080/26941112.2022.2145508
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kobayashi Ayaka;Tomiyama Hazuki;Ohno Yutaka;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru;Liang Jianbo
通讯作者：
Liang Jianbo

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大气中金刚石和InGaP的室温直接键合

DOI：
10.1080/26941112.2020.1869435
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Liang Jianbo;Nakamura Yuji;Ohno Yutaka;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Wang Hongxing;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam

使用聚焦离子束对 SAB 制造的界面进行结构分析中的伪影

DOI：
10.23919/ltb-3d.2019.8735379
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Ebisawa Naoki;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru

Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications

高功率器件应用的 β-Ga2O3/Si 异质界面的制备和界面结构的表征

DOI：
10.35848/1347-4065/ac4c6c
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
通讯作者：
Shigekawa Naoteru