Semiconductor electron beam source that brings fine-area dynamics observation technology to damage sensitive samples

半导体电子束源带来精细区域动态观测技术以破坏敏感样品

基本信息

批准号：
19H00666
负责人：
Nishitani Tomohiro
金额：
$ 29.04万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（33）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

yo-yo法を用いたNEA活性化過程の昇温脱離スペクトル測定

利用溜溜球法测量 NEA 活化过程的程序升温解吸光谱

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
城生大;佐田雄飛;目黒多加志
通讯作者：
目黒多加志

電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測

使用创新电子束技术对损伤敏感样品、动力学和反应进行显微观察

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daiki Sato;Tomohiro Nishitani;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano;西谷智博;西谷智博
通讯作者：
西谷智博

半導体フォトカソードを用いた電子ビーム技術の応用開発と事業化

使用半导体光电阴极的电子束技术的应用开发和商业化

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木玲士;石川史太郎;本田杏奈;佐藤大樹;小泉淳;西谷智博;田渕雅夫;西谷智博;西谷智博
通讯作者：
西谷智博

高輝度パルス電子源の開発

高强度脉冲电子源的研制

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木玲士;石川史太郎;本田杏奈;佐藤大樹;小泉淳;西谷智博;田渕雅夫;西谷智博
通讯作者：
西谷智博

半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術, Innovative inspection technology opened by photo electron beam from III-V semiconductors

III-V族半导体光电子束开启创新检测技术

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
佐田雄飛;城生大;目黒多加志;西谷智博;西谷智博
通讯作者：
西谷智博

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Nishitani Tomohiro其他文献

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