Formation of jointed silicon wires/nanowires using dissolution and re-crystalization of silicon in molten zinc droplets.
利用硅在熔融锌滴中的溶解和重结晶形成连接的硅线/纳米线。
基本信息
- 批准号:20H02500
- 负责人:
- 金额:$ 6.82万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Formation of boron-doped silicon wires and control of dopant concentration using zinc, SiCl4 and BCl3
使用锌、SiCl4 和 BCl3 形成硼掺杂硅线并控制掺杂剂浓度
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2020.125796
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Taniguchi Ryunosuke;Inasawa Susumu
- 通讯作者:Inasawa Susumu
Formation of boron-doped silicon wires and control of dopant concentration using zinc, SiCl4 and BCl3
使用锌、SiCl4 和 BCl3 形成硼掺杂硅线并控制掺杂剂浓度
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2020.125796
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Taniguchi Ryunosuke;Inasawa Susumu
- 通讯作者:Inasawa Susumu
Reactions and flows affected by liquid-gas or liquid-liquid interfaces
受液-气或液-液界面影响的反应和流动
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Susumu Inasawa
- 通讯作者:Susumu Inasawa
Flow effects on the morphology of silicon materials produced in a gas phase reaction of SiCl4
流动对 SiCl4 气相反应生成硅材料形貌的影响
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Susumu Inasawa
- 通讯作者:Susumu Inasawa
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10.1016/j.colsurfa.2021.127816 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Abe Kohei;Inasawa Susumu - 通讯作者:
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- 批准号:
17H04962 - 财政年份:2017
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