Development of large-area dislocation detection and classification techniques for next-generation power semiconductor beta-Ga2O3

下一代功率半导体β-Ga2O3大面积位错检测和分类技术开发

基本信息

  • 批准号：
    20K05355
  • 负责人：
    Yao Yongzhao
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    Japan Fine Ceramics Center
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Operando and ex-situ XRT observation of dislocations in β-Ga2O3 SBDs and their glide and multiplication under device operation
β-Ga2O3 SBD 中位错的原位和异位 XRT 观察及其在器件操作下的滑移和倍增
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Yao;D. Wakimoto;H. Miyamoto;K. Sasaki;A. Kuramata;K. Hirano;Y. Sugawara;Y. Ishikawa
  • 通讯作者：
    Y. Ishikawa
X-ray topography of crystallographic defects in wide-bandgap semiconductors using a high-resolution digital camera
使用高分辨率数码相机对宽带隙半导体中的晶体缺陷进行 X 射线形貌分析
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/abd2dd
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;Hirano Keiichi
  • 通讯作者：
    Hirano Keiichi
Domain boundaries in ScAlMgO<sub>4</sub> single crystal observed by synchrotron radiation x-ray topography and reticulography
同步辐射X射线形貌和网状成像观察ScAlMgO<sub>4</sub>单晶晶畴边界
  • DOI：
    10.1088/1361-6641/ac974b
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Semiconductor Science and Technology
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Hirano Keiichi;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari
  • 通讯作者：
    Ishikawa Yukari
Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography
使用博尔曼效应同步加速器 X 射线形貌观察厚 β-Ga2O3 单晶基板中的位错
  • DOI：
    10.1063/5.0088701
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    APL Materials
  • 影响因子：
    6.1
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Hirano Keiichi;Sugawara Yoshihiro;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
  • 通讯作者：
    Ishikawa Yukari
X線回折によるパワー半導体単結晶基板の結晶面湾曲の3D可視化
使用 X 射线衍射对功率半导体单晶衬底的晶面曲率进行 3D 可视化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takuma Kobayashi;Takato Nakanuma;Asato Suzuki;Mitsuru Sometani;Mitsuo Okamoto;Akitaka Yoshigoe;Takayoshi Shimura;and Heiji Watanabe;姚永昭
  • 通讯作者：
    姚永昭
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Yao Yongzhao其他文献

Dependence of growth conditions on b-Ga2O3 crystal quality grown by OCCC method
生长条件对 OCCC 方法生长的 b-Ga2O3 晶体质量的依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Isao Takahashi;Kochurikhin Vladimir;Tomida Taketoshi;Yao Yongzhao;Sato Koji;Ishikawa Yukari;Sugawara Takamasa;Shoji Yasuhiro;Kamada Kei;Kakimoto Koichi;Yoshikawa Akira
  • 通讯作者：
    Yoshikawa Akira
Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy
通过共焦微分干涉显微镜观察外延就绪 GaN 晶圆表面精细结构的识别
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/abbb23
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Sato Koji;Yao Yongzhao;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者：
    Tadatomo Kazuyuki
ニッケル表面での水素原子の表面反応におけるスピン効果
镍表面氢原子表面反应的自旋效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Hirano Keiichi;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;植田寛和，大橋悠生，石崎雄士，Z.-D. Sun，小澤孝拓，福谷克之
  • 通讯作者：
    植田寛和，大橋悠生，石崎雄士，Z.-D. Sun，小澤孝拓，福谷克之
Rotational-energy transfer in ortho-para conversion of molecularly chemisorbed H2 on Pd(210)
Pd(210)上分子化学吸附的H2邻位-对位转化中的旋转能量转移
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Tsusaka Yoshiyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;三浦均;H. Ueta and K. Fukutani
  • 通讯作者：
    H. Ueta and K. Fukutani
表面過程を考慮した不純物分配の解析解
考虑表面工艺的杂质分布解析解
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yao Yongzhao;Tsusaka Yoshiyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;三浦均
  • 通讯作者：
    三浦均

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  • 发表时间：
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  • 资助金额：
    $ 2.75万
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