Material Design of High Mobility Transparent Conductive Films

高迁移率透明导电薄膜的材料设计

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High-mobility In2O3-based transparent conducting films fabricated by solid-phase crystallization
固相结晶法制备高迁移率In2O3基透明导电薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Imamura Gaku;Yoshikawa Genki;Takashi Koida
  • 通讯作者：
    Takashi Koida
Effective mass of In2O3-based transparent conductive oxide films with high electron mobility
高电子迁移率In2O3基透明导电氧化物薄膜的有效质量
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takashi Koida
  • 通讯作者：
    Takashi Koida
High and broadband sensitivity front- side illuminated InGaAs photo field- effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate
具有 SWIR 透明导电氧化物 (TCO) 栅极的高宽带灵敏度正面照明 InGaAs 光电场效应晶体管 (photoFET)
  • DOI：
    10.1063/5.0065776
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Appl. Phys. Lett.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Maeda;K. Ohishi;H. Ishii;W. H. Chang;T. Shimizu;A. Endo;H. Fujisiro and T. Koida
  • 通讯作者：
    H. Fujisiro and T. Koida
Thermal and Damp Heat Stability of High-Mobility In2O3-Based Transparent Conducting Films Fabricated at Low Process Temperatures
低工艺温度下制备的高迁移率 In2O3 基透明导电薄膜的热稳定性和湿热稳定性
  • DOI：
    10.1002/pssa.202000487
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Physica Status Solidi A
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takashi Koida;Yuko Ueno
  • 通讯作者：
    Yuko Ueno
固相結晶化法を用いた低温製造 In2O3:H 広帯域透明電極の開発と太陽電池への応用
固相结晶法低温生产In2O3:H宽带透明电极的开发及其在太阳能电池中的应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    森下桃花;栁谷伸一郎;鈴木良尚;鯉田 崇
  • 通讯作者：
    鯉田 崇
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Koida Takashi其他文献

液相析出法によるTiO2微粒子の形成と光触媒活性度の評価
液相沉淀法TiO2细颗粒的形成及光催化活性评价
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ishizuka Shogo;Nishinaga Jiro;Iioka Masayuki;Higuchi Hirofumi;Kamikawa Yukiko;Koida Takashi;Shibata Hajime;Fons Paul;小倉正平，大野哲，向井孝三，吉信淳，岡田美智雄，福谷克之;田島　誠也，二村　真史，堀尾　吉已
  • 通讯作者：
    田島　誠也，二村　真史，堀尾　吉已
Si-Doping Effects in Cu(In,Ga)Se2 Thin Films and Applications for Simplified Structure High-Efficiency Solar Cells
Cu(In,Ga)Se2 薄膜中的 Si 掺杂效应及其在简化结构高效太阳能电池中的应用
  • DOI：
    10.1021/acsami.7b09019
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    ACS Applied Materials & Interfaces
  • 影响因子：
    9.5
  • 作者：
    Ishizuka Shogo;Koida Takashi;Taguchi Noboru;Tanaka Shingo;Fons Paul;Shibata Hajime
  • 通讯作者：
    Shibata Hajime
Si-Doped Cu(In,Ga)Se2 Photovoltaic Devices with Energy Conversion Efficiencies Exceeding 16.5% without a Buffer Layer
Si-Doped%20Cu(In,Ga)Se2%20光伏%20Devices%20with%20Energy%20Conversion%20Efficiency%20Exceeding%2016.5%%20without%20a%20Buffer%20Layer
  • DOI：
    10.1002/aenm.201702391
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Advanced Energy Materials
  • 影响因子：
    27.8
  • 作者：
    Ishizuka Shogo;Nishinaga Jiro;Iioka Masayuki;Higuchi Hirofumi;Kamikawa Yukiko;Koida Takashi;Shibata Hajime;Fons Paul
  • 通讯作者：
    Fons Paul
HREELSによるPd70Au30(110)表面におけるブテンのH-D交換メカニズムの解明
HREELS阐明Pd70Au30(110)表面丁烯的H-D交换机制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ishizuka Shogo;Nishinaga Jiro;Iioka Masayuki;Higuchi Hirofumi;Kamikawa Yukiko;Koida Takashi;Shibata Hajime;Fons Paul;小倉正平，大野哲，向井孝三，吉信淳，岡田美智雄，福谷克之
  • 通讯作者：
    小倉正平，大野哲，向井孝三，吉信淳，岡田美智雄，福谷克之

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  • DOI：
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  • 发表时间：
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