Depth-dependent electronic structures of magnetic materials studied by spin-resolved hard X-ray photoemission

通过自旋分辨硬 X 射线光电子研究磁性材料的深度相关电子结构

基本信息

  • 批准号:
    20K05336
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Valence band hard X-ray photoemission spectroscopy with spin-resolution for buried ferromagnetic layer using a Mott-type spin-filter
使用莫特型自旋滤波器对埋铁磁层具有自旋分辨率的价带硬 X 射线光电子能谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Haruka Sokudo;Toru Akiyama;and Tomonori Ito;Shigenori Ueda and Yuya Sakuraba
  • 通讯作者:
    Shigenori Ueda and Yuya Sakuraba
Variable polarization, external magnetic field, and spin resolution for buried magnetic materials studied by hard X-ray photoemission
通过硬 X 射线光电子研究埋藏磁性材料的可变偏振、外部磁场和自旋分辨率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松田隼;秋山亨;畠山哲夫;白石賢二;中山隆史;Shigenori Ueda
  • 通讯作者:
    Shigenori Ueda
New Dimensions of HAXPES: Variable Polarization, Total Reflection, and Spin Resolution
HAXPES 的新维度:可变偏振、全反射和自旋分辨率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    劉 鋭安;宮田 全展;小矢野 幹夫;Ueda Shigenori
  • 通讯作者:
    Ueda Shigenori
Direct probing of temperature-independent bulk half-metallicity in Co2MnSi by spin-resolved hard x-ray photoemission
通过自旋分辨硬 X 射线光电子直接探测 Co2MnSi 中与温度无关的块体半金属性
  • DOI:
    10.1103/physrevb.106.075101
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Ueda Shigenori;Miura Yoshio;Fujita Yuichi;Sakuraba Yuya
  • 通讯作者:
    Sakuraba Yuya
Probing spin-resolved valence band electronic structures of buried Fe film with hard X-ray photoemission
用硬 X 射线光电发射探测埋铁膜的自旋分辨价带电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Labib Farid;Suzuki Shintaro;Ishikawa Asuka;Fujii Takenori;Tamura Ryuji;佐藤 庸平;上川 由紀子;Ueda Shigenori
  • 通讯作者:
    Ueda Shigenori
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Ueda Shigenori其他文献

Electron Affinity Control of Amorphous Oxide Semiconductors and Its Applicability to Organic Electronics
非晶氧化物半导体的电子亲和力控制及其在有机电子学中的应用
  • DOI:
    10.1002/admi.201801307
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5.4
  • 作者:
    Kim Junghwan;Yamamoto Koji;Iimura Soshi;Ueda Shigenori;Hosono Hideo
  • 通讯作者:
    Hosono Hideo
ラマン分光法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドMoSe2の熱輸送解析
使用拉曼光谱分析过渡金属二硫属化物 MoSe2 的热传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Labib Farid;Suzuki Shintaro;Ishikawa Asuka;Fujii Takenori;Tamura Ryuji;佐藤 庸平;上川 由紀子;Ueda Shigenori;劉 鋭安,宮田 全展,小矢野 幹夫
  • 通讯作者:
    劉 鋭安,宮田 全展,小矢野 幹夫
擬似移動層を用いたグリセリンのアセタール化に関する反応分離挙動の解析
拟移动床甘油缩醛化反应分离行为分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tanabe Toyokazu;Tanikawa Tatsuhiro;Nakamori Katsutoshi;Ueda Shigenori;Nanzai Ben;Matsubara Yasuo;Matsumoto Futoshi;福村卓也・小野祐耶・長澤遼・千田勤・久保正樹・佐藤和久
  • 通讯作者:
    福村卓也・小野祐耶・長澤遼・千田勤・久保正樹・佐藤和久
Charge-Ordered State and Low-Dimensional Magnetic Fluctuations in Yb5Ge4 Single Crystal
Yb5Ge4 单晶中的电荷有序态和低维磁涨落
  • DOI:
    10.7566/jpsj.90.044703
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Michimura Shinji;Kosaka Masashi;Machida Ayumi;Numakura Ryosuke;Iizuka Ryosuke;Katano Susumu;Imai Yoshiki;Shirakawa Naoki;Yamasaki Yuichi;Nakao Hironori;Sato Hitoshi;Ueda Shigenori;Mimura Kojiro
  • 通讯作者:
    Mimura Kojiro
Substitution Effect of the Electronic Structure of Layered Iridium Oxides from Hard X-ray Photoemission Spectroscopy
硬X射线光电发射光谱研究层状氧化铱电子结构的取代效应
  • DOI:
    10.7566/jpscp.30.011144
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tsuda Shunsuke;Sugiura Shiori;Hirose Hishiro T.;Kikugawa Naoki;Ueda Shigenori;Isobe Masaaki;Uji Shinya
  • 通讯作者:
    Uji Shinya

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  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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