Establishment of Technology for Nanostructured Thin-film Fabrication by Glancing-angle Deposition in Reactive Plasma Environments

反应等离子体环境中掠角沉积纳米结构薄膜技术的建立

• 批准号: 20K05064
• 负责人: Inoue Yasushi
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Chiba Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K05064/
• 关键词: 斜入射堆積法; 離散的柱状構造; 反応性プラズマプロセス; 化合物薄膜材料; 優先配向性; スパッタリング; 二酸化チタン; 酸化タングステン; エレクトロクロミック; 反応性蒸着; 酸化物薄膜; 窒化物薄膜; 反応性スパッタリング; 化合物薄膜

项目成果

Fabrication of SiO:CH Particle-agglomerated Films by PECVD with Vinyl-group Organosilicon Reactants

用乙烯基有机硅反应物通过 PECVD 制备 SiO:CH 颗粒团聚薄膜

• DOI: 10.2494/photopolymer.35.283
• 发表时间: 2022
• 期刊: Journal of Photopolymer Science and Technology
• 影响因子: 0.8
• 作者: Yuki Nakaizumi;K. Hasegawa;Yasushi Inoue;Osamu Takai
• 通讯作者: Osamu Takai

Effects of Deposition Temperature on Properties of InN Film Fabricated by Glancing-angle Reactive Evaporation

沉积温度对掠射角反应蒸发InN薄膜性能的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: Takahiro Tanaka;Daisuke Hoshi;Kazuya Murata;Yasushi Inoue;Osamu Takai
• 通讯作者: Osamu Takai

斜入射スパッタリング法により作製した SnO2 薄膜のガスセンシング特性

斜入射溅射法制备SnO2薄膜的气敏特性

• 发表时间: 2022
• 作者: Keita Miyasaka;Yasushi Inoue and Osamu Takai;冨永 侑歩;高橋昂暉，宮崎秀俊，木村耕治，西野洋一，林 好一;古賀詩悠，赤嶺大志，板倉 賢，西田 稔，古澤皐平，小池邦博，加藤宏朗;亀田 悠真，井上 泰志，高井 治
• 通讯作者: 亀田 悠真，井上 泰志，高井 治

Effect of Volumetric Mass Density on EC Properties of Sputtered WO3 Films

体积质量密度对溅射 WO3 薄膜 EC 性能的影响

• 发表时间: 2022
• 作者: H. Tano;Y. Inoue and O. Takai
• 通讯作者: Y. Inoue and O. Takai

斜入射堆積InN薄膜の離散的柱状構造に対する基板温度の影響

衬底温度对斜入射沉积InN薄膜离散柱状结构的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: S. Iwasaki;T. D. Yamamoto;P. B. de Castro;K. Terashima;H. Takeya;Y. Takano;田中偉大，村田和也，井上泰志，高井治
• 通讯作者: 田中偉大，村田和也，井上泰志，高井治