Structural performance of RC members subjected to chemical expansion due to DEF

由于 DEF 导致化学膨胀的 RC 构件的结构性能

基本信息

  • 批准号:
    20K04650
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Study on deformation behavior and structural performance of RC beams subjected to Delayed Ettringite Formation
延迟钙矾石形成RC梁变形行为及结构性能研究
  • DOI:
    10.11532/structcivil.67a.645
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    達柊介;伊藤始;南亮多;巳野寛貴;白上新;細野恭成;今井龍一,中村健二,塚田義典,鹿間美咲;石川靖晃,上田尚史
  • 通讯作者:
    石川靖晃,上田尚史
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jallorina Michael Paul A.;Bermundo Juan Paolo S.;Fujii Mami N.;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu;白野陽子,皆川泰代;橋本 佳,山岸順一,越前 功
  • 通讯作者:
    橋本 佳,山岸順一,越前 功
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单晶硅光伏组件电势诱导退化中的载流子动力学
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.08rg14
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Islam Mohammad Aminul;Oshima Takuya;Kobayashi Daisuke;Matsuzaki Hiroyuki;Nakahama Hidenari;Ishikawa Yasuaki
  • 通讯作者:
    Ishikawa Yasuaki
Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al2O3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C
使用二甲基氢化铝在 200 °C 下原子层沉积 Al2O3 钝化的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的偏置应力和湿度暴露
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  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Corsino Dianne C;Bermundo Juan Paolo S;Fujii Mami N;Takahashi Kiyoshi;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
  • 通讯作者:
    Uraoka Yukiharu
Transient carrier recombination dynamics in potential‐induced degradation p‐type single‐crystalline Si photovoltaic modules
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  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jallorina Michael Paul A.;Bermundo Juan Paolo S.;Fujii Mami N.;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu;白野陽子,皆川泰代
  • 通讯作者:
    白野陽子,皆川泰代

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    20K04637
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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