Development of Si doped DLC film deposition technology for high-precision Si dopping and elucidation of mechanism of low friction
高精度Si掺杂Si DLC薄膜沉积技术的开发及低摩擦机理的阐明
基本信息
- 批准号:20K04187
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
メッシュを用いた PBII&D 法における DLC 膜厚均一性の改善
使用网格改善 PBII&D 方法中 DLC 膜厚均匀性
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:浦 尚輝;池永 訓昭
- 通讯作者:池永 訓昭
ステンレスメッシュを用いたプラズマの高密度化
使用不锈钢网的高密度等离子体
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:佐藤 凌;李 渊;田中康平・池永訓昭・中川嵩也・高橋宏典
- 通讯作者:田中康平・池永訓昭・中川嵩也・高橋宏典
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Elucidation of mechanism of high heat resistance on Si doped DLC film for design the functionality of DLC film
阐明Si掺杂DLC薄膜的高耐热机理,用于设计DLC薄膜的功能
- 批准号:
16K05991 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
Understand the mechanism and development of metal composite DLC films for high heat resistance utilizing dual-plasma
了解利用双等离子体实现高耐热金属复合DLC薄膜的机理和发展
- 批准号:
25820014 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
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