Development of thermal transistor using transition metal oxide
使用过渡金属氧化物的热晶体管的开发
基本信息
- 批准号：20J14755
- 负责人：
- 金额：$ 1.34万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-24 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this research, I introduced oxygen concentration by electrochemical redox treatment and controlled the electrical, optical, structural properties.The electrical conductivity was controlled from ~400 S cm－1 to an insulator, and the optical transmission at 1.5μm in wavelength was controlled in the range of 35 － 70%. This result would be useful for developing metal oxide epitaxial film-based electrochemical optoelectronic devices. [1, 2][1] G. Kim* et al., ACS. Appl. Electron. Mater. 3, 3619-3624 (2021)
通过电化学氧化还原引入了氧气，将电导率从〜400 s cm -1控制到绝缘体，并在1.5μm的波长中控制了这一结果的范围为35-70％是基于贝型膜的电脑膜设备[1，2] [1] G. Kim*等。
项目成果
期刊论文数量（23）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Coexistence of High Electron Conduction and Low Heat Conduction in Tungsten Oxide Epitaxial Films with 1D Atomic Defect Tunnels
- DOI：10.1021/acsaelm.0c00428
- 发表时间：2020-07
- 期刊：
- 影响因子：4.7
- 作者：Gowoon Kim;B. Feng;Y. Sheu;H. Cho;Y. Ikuhara;H. Ohta
- 通讯作者：Gowoon Kim;B. Feng;Y. Sheu;H. Cho;Y. Ikuhara;H. Ohta
Large Anisotropy of Electron Transport in Oxygen Deficient Tungsten Oxide Epitaxial Films with 1D Atomic Defect Tunnels
具有一维原子缺陷隧道的缺氧氧化钨外延膜中电子传输的大各向异性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Gowoon Kim
- 通讯作者：Gowoon Kim
Thermoelectric properties of tungsten oxide epitaxial films
氧化钨外延薄膜的热电性能
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高野沙織;澤山沙希;韓 智海;藤井健太;森正光;Gowoon Kim
- 通讯作者：Gowoon Kim
Tungsten Oxide Epitaxial Films with 1D Atomic Tunnels ― Structure and optical-electrical-thermal transport properties
具有一维原子隧道的氧化钨外延薄膜——结构和光电热传输特性
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nguyen Van Pho;Ho Van Anh;Gowoon Kim
- 通讯作者：Gowoon Kim
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