Doping and solid solution in SnS: introduction of cations using metals with low melting point as a reaction field

SnS中的掺杂和固溶:使用低熔点金属作为反应场引入阳离子

基本信息

  • 批准号:
    20H02495
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Direct evaluation of hole effective mass of SnS?SnSe solid solutions with ARPES measurement
ARPES测量直接评价SnS?SnSe固溶体的孔有效质量
  • DOI:
    10.1039/d1cp04553a
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.3
  • 作者:
    Suzuki Issei;Lin Zexin;Kawanishi Sakiko;Tanaka Kiyohisa;Nose Yoshitaro;Omata Takahisa;Tanaka Shin-Ichiro
  • 通讯作者:
    Tanaka Shin-Ichiro
低融点金属溶媒を利用した (Ge,Sn)Sの作製
低熔点金属溶剂制备(Ge,Sn)S
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 智士;勝部 涼司;野瀬 嘉太郎
  • 通讯作者:
    野瀬 嘉太郎
蒸留操作を用いたn-SnSe薄膜の作製
采用蒸馏法制备 n-SnSe 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大内 隆成;岡部 徹;柳谷理沙,鈴木由美,佐藤翔輔,田中聡,重川希志依;Xin Lu,竹田修,朱鴻民;Yoshi Fujiwara;滝本優介,Ji Ha Lee,矢吹彰広;石谷 康平,勝部 涼司,野瀬 嘉太郎
  • 通讯作者:
    石谷 康平,勝部 涼司,野瀬 嘉太郎
Deposition of n-type SnSe thin films doped with Bi
Bi 掺杂 n 型 SnSe 薄膜的沉积
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Kobatake;M. Iwabuchi;Y. Kurokawa;M. Ohtsuka;M. Adachi;H. Fukuyama;N. Sasajima;Y. Yamada;中川政治,佐藤翔輔,浅利満理子;椿 広計;Yoshitaro Nose,Kohei Ishigai
  • 通讯作者:
    Yoshitaro Nose,Kohei Ishigai
Ge-S-Bi三元系における相平衡
Ge-S-Bi三元体系的相平衡
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ouchi Takanari;Wu Shuang;Okabe Toru H.;渡 遥輝,石谷 康平,野瀬 嘉太郎
  • 通讯作者:
    渡 遥輝,石谷 康平,野瀬 嘉太郎
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Nose Yoshitaro其他文献

Impact of Heterointerfaces in Solar Cells Using ZnSnP2 Bulk Crystals
使用 ZnSnP2 块状晶体的太阳能电池中异质界面的影响
  • DOI:
    10.1021/acsami.7b08852
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    9.5
  • 作者:
    Nakatsuka Shigeru;Akari Shunsuke;Chantana Jakapan;Minemoto Takashi;Nose Yoshitaro
  • 通讯作者:
    Nose Yoshitaro
Deep level transient spectroscopy and photoluminescence studies of hole and electron traps in ZnSnP<sub>2</sub> bulk crystals
ZnSnP<sub>2</sub>块状晶体中空穴和电子陷阱的深能级瞬态光谱和光致发光研究
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac468a
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kuwano Taro;Katsube Ryoji;Johnston Steve;Tamboli Adele C.;Nose Yoshitaro
  • 通讯作者:
    Nose Yoshitaro
ZnSnP 2 solar cell with (Cd,Zn)S buffer layer: Analysis of recombination rates
具有 (Cd,Zn)S 缓冲层的 ZnSnP 2 太阳能电池:复合率分析
  • DOI:
    10.1016/j.solmat.2017.09.035
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akari Shunsuke;Chantana Jakapan;Nakatsuka Shigeru;Nose Yoshitaro;Minemoto Takashi
  • 通讯作者:
    Minemoto Takashi
ZnSnP 2 ,CdSnP 2 ,及びZn 1-x Cd x SnP 2 合金の理論的な光起電力変換効率 | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
ZnSnP 2 、CdSnP 2 和Zn 1-x Cd x SnP 2 合金的理论光伏发电效率| 文献信息| J-GLOBAL科技链接中心
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Yokoyama Tomoyasu;Oba Fumiyasu;Seko Atsuto;Hayashi Hiroyuki;Nose Yoshitaro;Tanaka Isao
  • 通讯作者:
    Tanaka Isao

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  • 发表时间:
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  • 通讯作者:
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Processing of semiconductor thin films besed on chemical potential diagram - SnS as a model
基于化学势图的半导体薄膜加工——以SnS为模型
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    2017
  • 资助金额:
    $ 11.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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新型黄铜矿磷化物的研制及其在太阳能电池中的应用
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    26289279
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    2014
  • 资助金额:
    $ 11.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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    $ 11.48万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    23K26031
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ミセル反応場で合成する希土類配位ナノ粒子の構造制御と光機能材料化
胶束反应场合成稀土配位纳米粒子的结构控制及光功能材料的开发
  • 批准号:
    23K23420
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新しい市場区分における決算発表に対する市場の反応
市场对新细分市场盈利公告的反应
  • 批准号:
    24K05175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
混合場と反応過程の精密解析に立脚した固溶ナノ合金の合理的設計戦略の確立
基于混合场和反应过程的精确分析建立固溶体纳米合金的合理设计策略
  • 批准号:
    24KJ1512
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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