Ultra-reliable power electronics system with built-in power device degradation diagnosis technology

内置功率器件退化诊断技术的超可靠电力电子系统

基本信息

  • 批准号：
    20H02134
  • 负责人：
    Wada Keiji
  • 金额：
    $ 11.4万
  • 依托单位：
    Tokyo Metropolitan University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Design of an Integrated Air Coil for Current Sensing
用于电流传感的集成空气线圈的设计
Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions
用于开关操作条件下 SiC 功率器件的栅极氧化物 TDDB 评估系统
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
  • 通讯作者：
    Keiji Wada
Design of Bus Bar Structure in Power Converter Circuit to Obtain Optimized Switching Waveform
功率变换器电路中母线结构的设计以获得优化的开关波形
  • DOI：
    10.1541/ieejias.140.817
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    IEEJ Transactions on Industry Applications
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Wang;X.;Wang;D.;He;J.;& Takagi;N.;三井晃司，和田圭二
  • 通讯作者：
    三井晃司，和田圭二
Design a Continuous Switching Test Circuit for Power Devices to Evaluate Reliability
设计功率器件的连续开关测试电路以评估可靠性
Gate Drive Circuit with Input Capacitance <i>C</i><sub>iss</sub> Measurement Function for the Condition Monitoring of Power Devices
用于功率器件状态监测的具有输入电容<i>C</i><sub>iss</sub>测量功能的栅极驱动电路
  • DOI：
    10.1541/ieejias.142.471
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    IEEJ Transactions on Industry Applications
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    後藤晋;篠原司;廣瀬丈洋，濱田洋平，谷川 亘，神谷奈々，山本由弦，辻 健，木下正高;林真一郎，和田圭二
  • 通讯作者：
    林真一郎，和田圭二
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Wada Keiji其他文献

Control Method for Overvoltage Suppression Across the DC Capacitor in a Grid-Connection Converter Using Leg Short Circuit of Power mosfets during the Initial Charge
并网变换器首次充电时功率MOSFET桥臂短路抑制直流电容过压的控制方法
把持と引き上げ動作が可能な空気圧グリッパーの開発
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mannen Tomoyuki;Wada Keiji;海津祐貴，加古川篤，馬書根
  • 通讯作者：
    海津祐貴，加古川篤，馬書根
核酸構造のトポロジーを基盤とする遺伝子発現の化学的制御 非二重らせんの構造と機能に関する新概念
基于核酸结构拓扑的基因表达化学控制 关于非双链螺旋结构和功能的新概念
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    化学と工業
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Itoh Masayuki;Yamashita Mariko;Kaneko Masaki;Okuno Hiroyuki;Abe Manabu;Yamazaki Maya;Natsume Rie;Yamada Daisuke;Kaizuka Toshie;Suwa Reiko;Sakimura Kenji;Sekiguchi Masayuki;Wada Keiji;Hoshino Mikio;Mishina Masayoshi;Hayashi Takashi;高橋俊太郎
  • 通讯作者：
    高橋俊太郎
Vegetation Changes around Haven Lake, Adak Island, Central Aleutians, Alaska, Determined from Pollen Analysis
通过花粉分析确定阿拉斯加中阿留申群岛埃达克岛避风湖周围的植被变化
  • DOI：
    10.1017/rdc.2018.103
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Radiocarbon
  • 影响因子：
    8.3
  • 作者：
    Noguchi Makoto;Fujiki Toshiyuki;Okuno Mitsuru;Gualtieri Lyn;Hatfield Virginia;Sarata Brenn;Torii Masayuki;Wada Keiji;Nakamura Toshio;West Dixie
  • 通讯作者：
    West Dixie
Investigation of multiple short-circuits characteristics and reliability in SiC power devices used for a start-up method of power converters
用于功率转换器启动方法的 SiC 功率器件的多重短路特性和可靠性研究
  • DOI：
    10.1016/j.microrel.2020.113775
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Microelectronics Reliability
  • 影响因子：
    1.6
  • 作者：
    Mannen Tomoyuki;Isobe Takanori;Wada Keiji
  • 通讯作者：
    Wada Keiji

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  • 通讯作者：
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Control of lipid metabolism by a novel autophagic system for the prevention of neurodegenerative disorders
通过新型自噬系统控制脂质代谢以预防神经退行性疾病
  • 批准号：
    17K07124
  • 财政年份：
    2017
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    $ 11.4万
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Design and implementation of PWM inverter using GaN power devices and its applications
GaN功率器件PWM逆变器的设计与实现及其应用
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    16H04320
  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Regulation of higher brain function by lipid metabolism
通过脂质代谢调节高级脑功能
  • 批准号：
    25290027
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of High-Frequency-Switching Inverter Circuit for High-Speed Motro Drive
高速电机驱动用高频开关逆变电路的开发
  • 批准号：
    25420263
  • 财政年份：
    2013
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
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  • 资助金额：
    $ 11.4万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
  • 批准号：
    24KJ0142
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
トポロジー最適化を用いた縦型GaNパワーデバイスの構造設計技術
采用拓扑优化的垂直GaN功率器件结构设计技术
  • 批准号：
    24K07597
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
WBGパワーデバイスに向けた新規Ag/Cu接合材料の低温低圧大面積実装技術の開発
WBG功率器件新型Ag/Cu键合材料低温、低压、大面积安装技术开发
  • 批准号：
    24KJ0162
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 11.4万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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