Control of valence band energy position of gallium oxides semiconductor for generating p-type conductivity
控制氧化镓半导体的价带能量位置以产生p型导电性
基本信息
- 批准号：19K15456
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（1）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth of b-Ga2(O,S)3 alloy films on YSZ substrates by mist-CVD method
雾气CVD法在YSZ基体上生长b-Ga2(O,S)3合金薄膜
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：赤岩和明;廣江翼;長野望江;阿部友紀;加渡幹尚;市野邦男
- 通讯作者：市野邦男
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- 作者：赤岩和明;廣江翼;長野望江;阿部友紀;加渡幹尚;市野邦男
- 通讯作者：市野邦男
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AKAIWA KAZUAKI其他文献
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