Development of highly efficient Si spin-MOSFETs by interface-controlled techniques
通过界面控制技术开发高效硅自旋MOSFET
基本信息
- 批准号：19K23522
- 负责人：
- 金额：$ 1.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-08-30 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Study of Spin Transport and Magnetoresistance Effect in Silicon-based Lateral Spin Devices for Spin-MOSFET Applications
用于自旋 MOSFET 应用的硅基横向自旋器件中自旋输运和磁阻效应的研究
- DOI：10.3379/msjmag.2005rv002
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ishikawa;Y. Saito;K. Hamaya
- 通讯作者：K. Hamaya
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Ishikawa Mizue其他文献
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- 作者：
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Hamaya Kohei
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