Study on the mechanism of novel method to control oxidation by block the diffusion path at the lattice defects level

晶格缺陷水平阻断扩散路径控制氧化新方法机理研究

基本信息

  • 批准号:
    19K22035
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-06-28 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
An investigation of surface contamination introduced during He+ implantation and subsequent effects on the thermal oxidation of Cu
  • DOI:
    10.1016/j.apsusc.2021.152163
  • 发表时间:
    2021-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Subing Yang;Y. Nakagawa;T. Shibayama
  • 通讯作者:
    Subing Yang;Y. Nakagawa;T. Shibayama
Anisotropic defect distribution in He+-irradiated 4H-SiC: effect of stress on defect distribution
He 辐照 4H-SiC 中的各向异性缺陷分布:应力对缺陷分布的影响
  • DOI:
    10.1016/j.actamat.2021.116845
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    9.4
  • 作者:
    Subing Yang;Yuki Nakagawa;Minako Kondo and Tamaki Shibayama
  • 通讯作者:
    Minako Kondo and Tamaki Shibayama
Non-destructive evaluation of the strain distribution in ion irradiated wide-gap semiconductors for MOSFETs
MOSFET 离子辐照宽带隙半导体应变分布的无损评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Shibayama;Subing Yang;Y. Nakagawa and H. Kishimoto
  • 通讯作者:
    Y. Nakagawa and H. Kishimoto
Univ. of Science and Technology Beijing(中国)
北京科技大学(中国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Tailored copper oxidation in alkaline aqueous solution after helium cation implantation
  • DOI:
    10.1016/j.apsusc.2022.153087
  • 发表时间:
    2022-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Subing Yang;Y. Nakagawa;T. Shibayama
  • 通讯作者:
    Subing Yang;Y. Nakagawa;T. Shibayama
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    1994
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    $ 4.08万
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    02452289
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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