A challenge of bond engineering for the creation of direct transition silicon tin

直接过渡硅锡的键合工程挑战

基本信息

批准号：
19K21971
负责人：
Kurosawa Masashi
金额：
$ 4.08万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K21971/
关键词：
シリコンスズ薄膜成長ボンドエンジニアリング結晶成長

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles

Si0.5Sn0.5纳米颗粒自组织行为的理论研究

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Nagae;M. Kurosawa;and O. Nakatsuka
通讯作者：
and O. Nakatsuka

Si(001)基板上におけるSi1－xSnx薄膜のエピタキシャル成長

Si(001)衬底上外延生长Si1−xSnx薄膜

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
黒澤昌志;丹下龍志;中塚理
通讯作者：
中塚理

Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators

掺杂剂对绝缘体上生长的富硅Poly-Si1-xSnx层热电性能的影响

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Sato;O. Nakatsuka;and M. Kurosawa
通讯作者：
and M. Kurosawa

Crystal growth and electronic properties of germanium-tin group-IV alloy semiconductor thin films

锗锡IV族合金半导体薄膜的晶体生长及电子性能

DOI：
10.11470/oubutsu.88.9_597
发表时间：
2019
期刊：
Oyo Buturi
影响因子：
0
作者：
中塚理;黒澤昌志
通讯作者：
黒澤昌志

UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出

紫外拉曼光谱推导单晶Si1-xSnx应变转换系数

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
横川凌;丹下龍志;黒澤昌志;小椋厚志
通讯作者：
小椋厚志

DOI：
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期刊：
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作者：
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通讯作者：
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作者：
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Kurosawa Masashi其他文献

No external load measurement strategy for micro thermoelectric generator based on high-performance Si1-x-yGexSny film

基于高性能Si1-x-yGexSny薄膜的微型热电发电机无外载测量策略

DOI：
10.1016/j.jmat.2020.12.002
发表时间：
2021
期刊：
Journal of Materiomics
影响因子：
9.4
作者：
Peng Ying;Zhu Sijing;Lai Huajun;Gao Jie;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Tanemura Sakae;Peng Biaolin;Miao Lei
通讯作者：
Miao Lei

Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-xSnx

应变单晶 Si1-xSnx 中能带结构的研究

DOI：
10.1149/10904.0359ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Sahara Keita;Yokogawa Ryo;Shibayama Yuki;Hibino Yusuke;Kurosawa Masashi;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi

Lattice-matched growth of high-Sn-content (x~0.1) Si1-xSnx layers on Si1-yGey buffers using molecular beam epitaxy

使用分子束外延在 Si1-yGey 缓冲区上晶格匹配生长高 Sn 含量 (x~0.1) Si1-xSnx 层

DOI：
10.35848/1882-0786/acc3da
发表时间：
2023
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Fujimoto Kazuaki;Kurosawa Masashi;Shibayama Shigehisa;Sakashita Mitsuo;Nakatsuka Osamu
通讯作者：
Nakatsuka Osamu

超伝導と強磁性が共存するジョセフソン接合系複合体の合成と電気・磁気特性

超导与铁磁性共存的约瑟夫森结配合物的合成及电/磁性能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Lai Huajun;Peng Ying;Gao Jie;Song Haili;Kurosawa Masashi;Nakatsuka Osamu;Takeuchi Tsunehiro;Miao Lei;寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司
通讯作者：
寺町七海，櫻井敬博，太田仁，瀬戸雄介，大石一城，坂口佳史，幸田章宏，内野隆司

Preparation and thermoelectric characterization of boron-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers

硼掺杂硅纳米晶/氧化硅多层膜的制备及热电表征

DOI：
10.35848/1347-4065/acb779
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Shibata Keisuke;Kato Shinya;Kurosawa Masashi;Gotoh Kazuhiro;Miyamoto Satoru;Usami Noritaka;Kurokawa Yasuyoshi
通讯作者：
Kurokawa Yasuyoshi