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Mechanism elucidation of unusual piezoelectric relaxation of GaN caused by hopping conduction of carriers
载流子跳跃传导引起的 GaN 异常压电弛豫的机理阐明
基本信息
- 批准号：19K15450
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Carrier dynamics of hopping conduction in high-resistance GaN studied by resonant ultrasound spectroscopy
谐振超声光谱研究高阻GaN中跳变传导的载流子动力学
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Adachi;H. Waki;and H. Ogi
- 通讯作者：and H. Ogi
Interplanar stiffness in defect-free monocrystalline graphite
- DOI：10.1103/physrevmaterials.4.043603
- 发表时间：2020-04-20
- 期刊：
- 影响因子：3.4
- 作者：Kusakabe, Koichi;Wake, Atsuki;Ogi, Hirotsugu
- 通讯作者：Ogi, Hirotsugu
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大橋 卓，山田 寛喜，山口 芳雄
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- 影响因子：2.3
- 作者：
Nagakubo Akira;Adachi Kanta;Nishihara Tokihiro;Ogi Hirotsugu - 通讯作者：
Ogi Hirotsugu
Adachi Kanta的其他文献
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