Fabrication of Direct Bandgap Group-IV Semiconductors by Utilizing Sn Alloying Technique Based on Rapid Melting Growth and Its Electrical Characterization

基于快速熔融生长的Sn合金化直接带隙IV族半导体及其电学表征

• 批准号: 19K15035
• 负责人: Oka Hiroshi
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15035/
• 关键词: ゲルマニウムスズ; 固相成長; フラッシュランプアニール; MOSFET; CMOS; 固相結晶化; トランジスタ; 溶融結晶化; ナノワイヤトランジスタ

项目成果

Tensile-strained GeSn-on-SOI MSM Photodetector Fabricated by Solid-phase Epitaxy

固相外延制备的拉伸应变 GeSn-on-SOI MSM 光电探测器

• 发表时间: 2019
• 作者: H. Oka;W. Mizubayashi;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;T. Maeda;N. Uchida;K. Endo
• 通讯作者: K. Endo

Solid-phase Grown GeSn n-MOSFETs on GOI Wafer Fabricated by Flash Lamp Annealing

通过闪光灯退火在 GOI 晶圆上固相生长 GeSn n-MOSFET

• 发表时间: 2020
• 作者: H. Oka;W. Mizubayashi;T. Mori;Y. Ishikawa;T. Hosoi;T. Shimura;H. Watanabe;and K. Endo
• 通讯作者: and K. Endo

Non-equilibrium solid-phase growth of amorphous GeSn layer on Ge-on-insulator wafer induced by flash lamp annealing

闪光灯退火诱导绝缘体上Ge晶圆上非晶GeSn层的非平衡固相生长

• DOI: 10.35848/1882-0786/abdac4
• 发表时间: 2021
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
• 通讯作者: Endo Kazuhiko

Flash lamp annealing processing to improve the performance of high-Sn content GeSn n-MOSFETs

闪光灯退火处理可提高高锡含量 GeSn n-MOSFET 的性能

• DOI: 10.35848/1882-0786/ac1a47
• 发表时间: 2021
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Oka Hiroshi;Mizubayashi Wataru;Ishikawa Yuki;Uchida Noriyuki;Mori Takahiro;Endo Kazuhiko
• 通讯作者: Endo Kazuhiko