Optical characterizations in the sub-bandgap energy region of nitride semiconductor alloy thin films for the development of low-internal-loss LD waveguides
氮化物半导体合金薄膜亚带隙能区的光学表征,用于开发低内损耗 LD 波导
基本信息
- 批准号:20K15182
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry
使用光谱椭圆光度法分析 c 面独立式 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 合金的光学常数和带隙能量
- DOI:10.35848/1347-4065/abc29f
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Daichi Imai; Yuto Murakami; Rino Miyata; Hayata Toyoda; Tomoaki Yamaji; Makoto Miyoshi; Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima
- 通讯作者:Takao Miyajima
Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate
c 面独立 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 薄膜的近带隙光学特性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hayata Toyoda; Yuto Murakami; Rino Miyata; Daichi Imai; Makoto Miyoshi; Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima
- 通讯作者:Takao Miyajima
Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate
c 面独立 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 薄膜的近带隙光学特性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hayata Toyoda; Yuto Murakami; Rino Miyata; Daichi Imai; Makoto Miyoshi; Tetsuya Takeuchi;Takao Miyajima
- 通讯作者:Takao Miyajima
分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における 誘電関数モデルの検討
椭圆偏振光谱法分析Al1-xInxN混晶光学性质的介电函数模型研究
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:豊田 隼大;村上 裕人;宮田 梨乃;今井 大地;宮嶋 孝夫; 三好 実人 ; 竹内 哲也
- 通讯作者:竹内 哲也
サファイア基板上Al1-x Inx N混晶薄膜における基礎吸収端以下の光吸収過程
蓝宝石衬底上Al1-x Inx N混晶薄膜基本吸收边以下的光吸收过程
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:村上 裕人; 豊田 隼大; 久保 寿敏; 正木 京介; 今井 大地; 宮嶋 孝夫; 三好 実人; 竹内 哲也
- 通讯作者:竹内 哲也
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Imai Daichi其他文献
Imai Daichi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Imai Daichi', 18)}}的其他基金
Development of the optical wave-guide of nitride based laser diodes by using InN/GaN short-period superlattices
利用InN/GaN短周期超晶格开发氮化物基激光二极管光波导
- 批准号:
17K06360 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明
阐明控制氮化物基混晶半导体子带隙区域的光学和热性能的指南,有助于下一代光源的开发
- 批准号:
22K04956 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明
阐明控制氮化物基混晶半导体子带隙区域的光学和热性能的指南,有助于下一代光源的开发
- 批准号:
22K04956 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
電子の非発光再結合を用いたGaAs中窒素不純物準位の高感度マッピング
利用电子非辐射复合对 GaAs 中的氮杂质水平进行高灵敏度测绘
- 批准号:
21K04130 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
生成物検出によるレアイベント分光法の開拓
通过产品检测开发稀有事件光谱学
- 批准号:
21K18202 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
Understanding scientific principle of plasma-liquid interface
了解等离子体-液体界面的科学原理
- 批准号:
20H00135 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)