Bottom-up synthesis of oriented graphene nanoribbons on semiconductor substrates

半导体基底上定向石墨烯纳米带的自下而上合成

基本信息

  • 批准号:
    20K15136
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Rotational self-alignment of graphene seeds for nanoribbon synthesis on Ge(001) via chemical vapor deposition
通过化学气相沉积在 Ge(001) 上合成纳米带的石墨烯种子的旋转自对准
  • DOI:
    10.1063/5.0013527
  • 发表时间:
    2020-09-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.1
  • 作者:
    A. Way;V. Saraswat;R. Jacobberger;M. Arnold
  • 通讯作者:
    M. Arnold
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Efficient Hydrogen Isotope Separation by Tunneling Effect Using Graphene-Based Heterogeneous Electrocatalysts in Electrochemical Hydrogen Isotope Pumping
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    10.1021/acsnano.2c04655
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.1
  • 作者:
    Yasuda Satoshi;Matsushima Hisayoshi;Harada Kenji;Tanii Risako;Terasawa Tomo;Yano Masahiro;Asaoka Hidehito;Gueriba Jessiel Siaron;Dino Wilson Agerico;Fukutani Katsuyuki
  • 通讯作者:
    Fukutani Katsuyuki
Efficient Hydrogen Isotope Separation by Tunneling Effect Using Graphene-Based Heterogeneous Electrocatalysts in Electrochemical Hydrogen Isotope Pumping
在电化学氢同位素泵浦中使用石墨烯基多相电催化剂通过隧道效应有效分离氢同位素
  • DOI:
    10.1021/acsnano.2c04655
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.1
  • 作者:
    Yasuda Satoshi;Matsushima Hisayoshi;Harada Kenji;Tanii Risako;Terasawa Tomo;Yano Masahiro;Asaoka Hidehito;Gueriba Jessiel Siaron;Dino Wilson Agerico;Fukutani Katsuyuki
  • 通讯作者:
    Fukutani Katsuyuki
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Yaita Tsuyoshi
Efficient Hydrogen Isotope Separation by Tunneling Effect Using Graphene-Based Heterogeneous Electrocatalysts in Electrochemical Hydrogen Isotope Pumping
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  • DOI:
    10.1021/acsnano.2c04655
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.1
  • 作者:
    Yasuda Satoshi;Matsushima Hisayoshi;Harada Kenji;Tanii Risako;Terasawa Tomo;Yano Masahiro;Asaoka Hidehito;Gueriba Jessiel Siaron;Dino Wilson Agerico;Fukutani Katsuyuki
  • 通讯作者:
    Fukutani Katsuyuki
Uniform Si nano-dot fabrication using reconstructed structure of Si(110)
使用 Si(110) 重构结构制造均匀的 Si 纳米点
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.06hd04
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yano Masahiro; Uozumi Yuki; Yasuda Satoshi; Asaoka Hidehito
  • 通讯作者:
    Asaoka Hidehito

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