Theoretical Study on Low-Power Neural Network Devices with High-Error Nonvolatile Memory

高误差非易失性存储器低功耗神经网络器件的理论研究

• 批准号: 20K12003
• 负责人: ARAI Hiroko
• 金额: $ 1.83万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K12003/
• 关键词: MRAM; 磁性メモリ; 書き込みエラー率; WER; 磁気メモリ; 電圧駆動MRAM; 書き込みエラー; 保持エラー; 電圧書き込み; 確率密度関数; 不揮発メモリ

项目成果

Probability Distribution of the Write-Error Rate of Voltage-Controlled Magnetoresistive Random-Access Memories

压控磁阻随机存取存储器写入错误率的概率分布

• DOI: 10.1103/physrevapplied.16.064068
• 发表时间: 2021
• 影响因子: 4.6
• 作者: Arai Hiroko;Hirofuchi Takahiro;Imamura Hiroshi
• 通讯作者: Imamura Hiroshi

電圧駆動MRAM における書き込みエラー率の確率分布に関する理論的研究

电压驱动MRAM写入错误率概率分布的理论研究

• 发表时间: 2021
• 作者: 荒井 礼子; 広渕 崇宏; 今村 裕志
• 通讯作者: 今村 裕志

Characteristic time of transition from write error to retention error in voltage-controlled magnetoresistive random-access memory

压控磁阻随机存取存储器中从写入错误到保留错误转变的特征时间

• DOI: 10.1016/j.jmmm.2023.170624
• 发表时间: 2023-03-01
• 期刊: Journal of Magnetism and Magnetic Materials
• 影响因子: 2.7
• 作者: H. Arai;H. Imamura
• 通讯作者: H. Imamura

Probability Distribution of the Write-Error Rate of Voltage-Controlled Magnetoresistive Random-Access Memories

压控磁阻随机存取存储器写入错误率的概率分布

• DOI: 10.1103/physrevapplied.16.064068
• 发表时间: 2021
• 影响因子: 4.6
• 作者: Arai Hiroko;Hirofuchi Takahiro;Imamura Hiroshi
• 通讯作者: Imamura Hiroshi

書き込みエラー率分布を考慮した不揮発メインメモリシステムによるビット化け発生数の評価

考虑写入错误率分布的非易失性主存储器系统中位乱码发生次数的评估

• 发表时间: 2022
• 作者: 荒井 礼子; 斉藤 大貴; 佐藤 幸紀; 広渕 崇宏; 今村 裕志
• 通讯作者: 今村 裕志