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Control of Three-Dimensional Formation of Monolayer-Multilayer Graphene Films on Silicon Nanostructured Surfaces
硅纳米结构表面上单层-多层石墨烯薄膜的三维形成控制
基本信息
- 批准号：20K21135
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-07-30 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（11）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Al-Catalyzed Si Nanowire Formations on Thin Si Substrates and Photovoltaic Applications
薄硅基板上铝催化硅纳米线的形成及光伏应用
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：W. Jevasuwan;N. Fukata
- 通讯作者：N. Fukata
Nanostructured Silicon Solar Cells
纳米结构硅太阳能电池
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：丹羽 修;太田早紀;高橋将太;芝 駿介;鎌田智之;加藤 大;Naoki Fukata
- 通讯作者：Naoki Fukata
In Fundamental Properties of Semiconductor Nanowires
半导体纳米线的基本特性
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：辻成瑛;小林成貴;中林誠一郎;吉川洋史;川村隆三;Rapenne Gwenael;Naoki Fukata
- 通讯作者：Naoki Fukata
Conversion of Amorphous Carbon on Silicon Nanostructures into Similar Shaped Semi-Crystalline Graphene Sheets
硅纳米结构上的非晶碳转化为相似形状的半晶石墨烯片
- DOI：10.1166/jnn.2021.19329
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Wallace Steaphan M.;Subramani Thiyagu;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki
- 通讯作者：Fukata Naoki
The On-Site Nanowire-Shape Graphene Formation for Silicon Nanowire-Based Schottky Junction Solar Cells
用于基于硅纳米线的肖特基结太阳能电池的现场纳米线形状石墨烯形成
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Wipakorn Jevasuwan;Steaphan Wallace and Naoki Fukata
- 通讯作者：Steaphan Wallace and Naoki Fukata
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FUKATA Naoki其他文献
Hole Gas Density Enhancement in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by Thin B-doped Layer Interposition.
通过薄 B 掺杂层插入来增强 Al 催化 SiNW/i-Ge 核壳结构中的空穴气体密度。
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;MATSUMURA Ryo;FUKATA Naoki - 通讯作者：
FUKATA Naoki
ビームロッキング EDS/EELS分析：電子チャネリング効果を活用したサイト選択 的定量組成・電子状態評価
锁束 EDS/EELS 分析：利用电子沟道效应进行位点选择性定量成分/电子态评估
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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The Improvement of Hole Gas Accumulation in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by B-Doped Outermost Si Shell Formation
通过B掺杂最外层硅壳的形成改善Al催化SiNW/i-Ge核壳结构中的空穴气体聚集
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;FUKATA Naoki - 通讯作者：
FUKATA Naoki
The Improvement of Hole Gas generation in Al-Catalyzed SiNW/i-Ge Core-Shell Structure by Thin B-doped Layer Interposition
通过薄 B 掺杂层插入改善 Al 催化 SiNW/i-Ge 核壳结构中空穴气体的产生
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;FUKATA Naoki - 通讯作者：
FUKATA Naoki
B Doping Control and Characterization on Al-Catalyzed Si Nanowires and Their p-Si/i-Ge Core-Shell Nanowires
B Al催化硅纳米线及其p-Si/i-Ge核壳纳米线的掺杂控制和表征
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
JEVASUWAN Wipakorn;ZHANG Xiaolong;SUBRAMANI Thiyagu;MATSUMURA Ryo;FUKATA Naoki - 通讯作者：
FUKATA Naoki
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{{ truncateString('FUKATA Naoki', 18)}}的其他基金
Fabrication of high efficiency solar cell materials using low dimensional Si nanostructures
使用低维硅纳米结构制造高效太阳能电池材料
- 批准号：
21760015 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
シリコン基板上ナノ構造誘起L10規則化強磁性体の実現と単電子スピンデバイスの創製
在硅衬底上实现纳米结构诱导的L10有序铁磁材料并创建单电子自旋器件
- 批准号：
21J13665 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of vertical HEMT-type devices using Si-Ge core-shell heterojunction nanowires
使用Si-Ge核壳异质结纳米线开发垂直HEMT型器件
- 批准号：
21H04642 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
自己触媒成長技術によるシリコン基板上新規ナノワイヤ構造・レーザーデバイスの創出
使用自催化生长技术在硅衬底上创建新的纳米线结构和激光装置
- 批准号：
21H01834 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Optical, electronic, and spin engineering by semiconductor/oxide composite nanowires
半导体/氧化物复合纳米线的光学、电子和自旋工程
- 批准号：
19H00855 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Analysis of enhanced electron-phonon scattering at semiconductor surface/interface
半导体表面/界面增强电子声子散射分析
- 批准号：
19K15050 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists