区画化型スキャンストラテジーを駆使した歯科補綴装置の高機能・長寿命化

使用分区扫描策略的牙科修复装置的高功能性和长寿命

基本信息

批准号：
20K10068
负责人：
高市敦士
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Tokyo Medical and Dental University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K10068/
关键词：
積層造形ブリッジ残留応力適合性 SLM 残留応略歯科補綴装置

项目摘要

本研究では歯科補綴装置の設計に応じて最適化されたレーザー走査条件を解明するとともに歯科補綴装置造形中の残留応力による寸法変化を抑制するために新たに考案した補綴装置の構造レベルで区画化するレーザー走査法の有効性を検証し、歯科補綴装置の高機能・高寿命化を達成するための新たな造形条件の構築を目的としている．残留応力において、X軸方向では区画化型スキャンストラテジーを適応することにより、通法より応力低減が可能であることが明らかとなった。区画化スキャンストラテジーは通法と比較して一回のスキャンベクトルをX方向において短くすることができており、残留応力が低減された可能性がある。一方でY軸方向では区画化型も通法もスキャンベクトルの長さはほとんど変化がないため、残留応力もY軸方向においては有意な違いが認められなかったと考えられる。適合試験では、区画化型と通法で有意な差を認めなかった。残留応力においては、X軸方向では区画化法において有意に低下していたが、今回製作した形状のブリッジに関しては適合性を改善するほどの影響はなかった。試料の内部観察は、試料内部の状態を非破壊で観察することができるマイクロフォーカスX線CTシステムを用いて行った。今回使用したシステムでは解像度が10μm程度であるが、積層に用いた粉末の平均粒径は20～30μmであることを考えると、造形中のほとんどの気泡数を計測できたと思われる。特に気泡の内包が心配された連結部においても気泡はほとんど認められず、また通法と区画化法で有意差がなかったため、区画化法によるSLM法でのブリッジ造形でも内部性状には影響を与えずに積層を行うことが可能であると考えられる。

在这项研究中，我们阐明了根据牙科修复装置的设计优化的激光扫描条件，并设计了一种在结构层面上划分修复装置的新方法，以抑制牙科修复过程中残余应力引起的尺寸变化。本研究的目的是验证激光扫描方法的有效性并建立新的建模条件以实现牙科修复装置的高功能和长寿命。结果表明，与传统方法相比，采用分区扫描策略可以减少 X 轴方向的残余应力。与传统方法相比，分段扫描策略能够缩短X方向上的单次扫描矢量，从而减少残余应力。另一方面，在Y轴方向上，分段法和常规法的扫描矢量长度几乎没有变化，因此认为Y轴方向的残余应力没有显着差异。 -轴方向。在相容性测试中，分区型与常规方法之间没有观察到显着差异。虽然分段方法显着降低了X轴方向的残余应力，但效果还不足以提高桥梁与我们这次创建的形状的适用性。使用微焦点X射线CT系统对样品进行内部观察，可以无损观察样品的内部状态。此次使用的系统分辨率约为10μm，但考虑到层压所用粉末的平均粒径为20至30μm，似乎可以测量建模过程中的大部分气泡数量。特别是，即使在担心气泡滞留的接缝处也几乎没有观察到气泡，并且正常方法和分区法之间没有显着差异，因此即使使用分区法的SLM方法进行桥梁建模方法不影响内部性能，相信可以在不施加的情况下进行层压。

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

レーザー積層造形法により製作したCo-Cr-Mo-W 合金の熱処理温度が陶材焼付強度に与える影響.

热处理温度对激光增材制造Co-Cr-Mo-W合金瓷烤强度的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hein Linn Htat; Kajima Yuka; Takaichi Atsushi; Hla Htoot Wai Cho; Kamijo Shingo; Hanawa Takao; Wakabayashi Noriyuki.
通讯作者：
Wakabayashi Noriyuki.

Recrystallization Behavior of Selective Laser Melted Co–Cr–Mo Alloys with Several Heat Treatment Times

选区激光熔化钴铬钼合金多次热处理的再结晶行为