水溶液法による酸化ガリウムエピタキシャル層の低温直接形成
水溶液法低温直接形成氧化镓外延层
基本信息
- 批准号:21K04657
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では、次世代パワーデバイス用材料のひとつとして期待されるβ-酸化ガリウム (β-Ga2O3) エピタキシャル層を水溶液法により形成することを目的とする。通常、β-Ga2O3層は500℃~1000℃の高温かつ高真空を利用する気相法で作製される。それに対し、低温・低温エネルギー、かつ大気圧を利用する水溶液法でのβ-Ga2O3層形成が可能となれば、環境負荷の低減だけでなく、製造コスト低減によりβ-Ga2O3の普及への一助となると考えられる。本研究では、水溶性ガリウム塩であるヘキサフルオロガリウム酸アンモニウム ((NH4)3GaF6) を合成し、その水溶液中での加水分解反応を制御することで、従来は困難であった水溶液中でのβ-酸化ガリウム層形成を目指す。また、Non-Seed CBD (Chemical Bath Deposition, 化学浴堆積)法を利用することで、β-Ga2O3エピタキシャル層の低温直接形成を目指す。本年度は、(NH4)3GaF6のボールミルによる合成を見直し、アルコール中で合成を行うことで、繰り返し性よく(NH4)3GaF6を合成可能となった。得られた(NH4)3GaF6を使用して、Non-Seed CBD法によるガリウム化合物の成膜を行った。種々の温度、pH条件を検討したものの、いずれの条件においても生成相はオキシ水酸化ガリウム(GaOOH)となり、酸化ガリウム相を得ることはできなかった。ただし、pH条件によって膜構造が変化することを見出し、特に高pH条件においては、柱状結晶が垂直に配列した膜構造が得られた。
这项研究旨在形成氧化β-GALLIUM(β-GA2O3)外延层,该层预计将通过水溶液方法成为下一代动力设备的材料之一。通常,β-GA2O3层是通过使用高温和500°C至1000°C的高温和高真空制造的。另一方面,如果可以使用使用低温,低温能量和大气压的水溶液方法形成β-GA2O3层,则认为它不仅会降低环境影响,而且还将通过降低制造成本来扩散β-GA2O3。在这项研究中,我们的目标是在水溶液中形成β-加仑的氧化物层,以前通过合成六氟酸铵((NH4)3GAF6),水溶性甘露盐盐,并在水溶液中控制水解反应。此外,通过使用非种子CBD(化学浴沉积),我们的目标是在低温下直接形成β-GA2O3外延层。今年,我们使用球厂回顾了(NH4)3GAF6的合成,并且通过在酒精中进行合成,我们能够合成(NH4)3GAF6并具有可重复性。使用获得的(NH4)3GAF6,通过非种子CBD方法沉积了甘油化合物。尽管研究了各种温度和pH条件,但在任何条件下,产生的相都是羟化氧化物(GAOOH),并且未获得氧化;然而,发现膜结构根据pH条件,尤其是在高pH条件下的膜结构而变化,膜结构垂直得出了柱状晶体。
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岩田匡平;我田元
- 通讯作者:我田元
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- DOI:10.1039/d1ce01049b
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:Wagata Hajime;Harada Ginji;Nakashima Eriko;Asaga Motoki;Watanabe Tomoaki;Tanaka Yuya;Tada Masaru;Yubuta Kunio
- 通讯作者:Yubuta Kunio
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- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Matsushita Saori;Suzuki Ryo;Abe Marina;Kojima Kenichi;Tachibana Masaru;Hajime Wagata, Hiroaki Taniguchi
- 通讯作者:Hajime Wagata, Hiroaki Taniguchi
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- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:日本フラックス成長研究会;吉川 彰;横田 有為;我田 元
- 通讯作者:我田 元
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