LSPRデバイスへの応用を目指したアルミナノホール形成技術の開発

开发应用于局域表面等离子体共振装置的铝纳米孔形成技术

• 批准号: 21K03815
• 负责人: 安井 学
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kanagawa Institute of Industrial Sclence and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2021
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2021-04-01 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21K03815/
• 关键词: 電子線描画; HSQ; 金型; 熱ナノインプリント; アルミナノホール; Ni-Wナノ金型; LSPRデバイス

本年度の研究目的は、アッシング後のSU8表面に残留する微粒子を除去し、Ni-Wメッキを行ってNi-W金型を開発するとともに蒸着Al薄膜の物性値を評価することである。しかしながら、SU8表面に残留する微粒子がフッ素ガスで揮発できるアンチモンではなく、アルミニウムであったことから，フッ素ガスでは揮発できず、SU8表面に微粒子の除去の目処が立っていない。一方，粉末状態では加水分解を起こさず、MIBKに溶解して使用する粉末水素シルセスキオキサン（Hydrogen silsesquioxane : HSQ）の存在を知り、実験に用いたところ、低湿度下であれば3ヶ月程度安定した状態で電子線描画を実施できた。また、熱可塑性樹脂に対して繰り返し熱ナノインプリントを実施できた。ただし、ドットパターンでは近接効果の影響を受けやすく、200nm周期のドットパターンでは、ドット間にHSQの残渣が生じドットパターンが繋がりやすかった。CADデータの工夫やドーズ量を調整することで、HSQの残渣を抑制することはできたが、完全に抑えるには至っていない。

今年研究的目的是在屁股后去除SU8表面上剩余的细颗粒，开发Ni-W板，开发Ni-W模具并评​​估蒸的Al薄膜的物理性质。但是，由于剩余的SU8表面上的细颗粒不是抗氟气体可能挥发的抗抗颗粒，但是铝，氟气体不能挥发，也没有去除SU8表面上的细颗粒的前景。另一方面，在粉末状态下，它不会引起水解，而是在溶解在MIBK中的粉末氢中（氢化氢）中的氢（HSQ），并将其用于实验。一个稳定的状态。另外，反复进行热塑性树脂。但是，在点模式中，它容易受到接近效应的影响，在200 nm周期点模式下，在点之间产生了HSQ残基，并且点模式很容易连接。通过调整CAD数据和剂量量，可以抑制HSQ残基，但尚未完全抑制。

项目成果

樹脂薄膜の粘弾性特性に及ぼす試験片寸法の影響

试样尺寸对树脂薄膜粘弹性能的影响

• 发表时间: 2022
• 作者: 伊藤 寛明,伏岡 拓洋;藤井 奨吾;安井 学
• 通讯作者: 安井 学

フッ素樹脂を用いたアッシングによるSU8のエッチング

SU8的氟树脂灰化蚀刻

• 发表时间: 2022
• 作者: 安井 学;本泉 佑;黒内 正仁;金子 智
• 通讯作者: 金子 智