Grundlagen der Reaktionskinetik von schichtbildenden Atmosphärendruckplasmen

常压等离子体成层反应动力学基础

• 批准号: 213099238
• 负责人: Professor Dr. Jürgen Röpcke
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Plasmaforschung und Technologie e.V. (INP)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2011-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/213099238?language=en
• 关键词: Grundlagen; der; Reaktionskinetik; von; schichtbildenden

Im Projekt werden reaktionskinetische Phänomene bei der plasmagestützten Schichtabscheidung unter Normaldruck, insbesondere bei Einsatz von siliziumorganischen Precursoren untersucht. Hierzu werden die zeitabhängigen plasmachemischen Prozesse lokal wirkender modulierter Atmosphärendruckplasmen experimentell erfasst und wesentliche molekulare Reaktionsbestandteile ermittelt, um die Gasphasen- und Oberflächenreaktionen bilanzieren zu können. Als Grundlage der Prozessoptimierung soll hiermit ein grundlegendes Verständnis der im Plasma und bei der Schichtbildung ablaufenden Prozesse erreicht werden. Dadurch können ein verringerter Gasverbrauch sowohl bei der Prozessentwicklung als auch der Prozessdurchführung sowie eine verbesserte Precursorausnutzung erreicht werden.

世界的抗议是新教徒，但它是为了防止普通人的传播而开发的新教徒，而新教徒是不稳定的新教徒。 grundlage der prozessoptimierung是一种grundlegendes的形式，grundlegendes是唯一的生活途径。 DadurchKönnenein verringerter gasverbrauch sowohl bei der prozessentwicklung als auch derprozessustochustochführungsowie eine eine eine verbesserte verbesserte versorausorausnentzungzung erreicht erreicht werden。

项目成果

Sensitive trace gas detection with cavity enhanced absorption spectroscopy using a continuous wave external-cavity quantum cascade laser

• DOI: 10.1063/1.4823545
• 发表时间: 2013-09-23
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: van Helden, J. H.;Lang, N.;Roepcke, J.
• 通讯作者: Roepcke, J.