Diagnostik von mit Elektronencyclotron-Resonanz angeregten Höchstdichte-Plasmen und ihre Wechselwirkung mit Metallen und III/V-Halbleitern

电子回旋共振激发的高密度等离子体及其与金属和 III/V 半导体的相互作用的诊断

• 批准号: 212823171
• 负责人: Professor Dr. Gerhard Franz
• 金额: --
• 依托单位: Labor für Oberflächenveredelung und Dünnschichttechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2011-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/212823171?language=en
• 关键词: Diagnostik; von; mit; Elektronencyclotron; Resonanz

Durch Einkopplung von Mikrowellen in Anwesenheit eines statischen Magnetfeldes werden mit dem Effekt der Elektronencyclotronresonanz (ECR) bedeutend höhere Plasmadichten als bei induktiver Kopplung erreicht. Die so generierten Plasmen reaktiver Gase werden in der Mikrostrukturtechnik zur reaktiven Trockenstrukturierung unter Freisetzung flüchtiger Verbindungen eingesetzt (RIE - Reactive Ion Etching). Zur Bestimmung zahlreicher Charakteristika dieser Festkörperreaktionen, für die das synergetische Verhalten physikalischer und chemischer Effekte typisch ist, ist es notwendig, die Reaktivität des Plasmas zu kennen, die durch eine Reihe von Plasmakenngrößen wie die Plasmadichte und Temperatur der Elektronen bestimmt wird. Diese sind aber für magnetisierte Plasmen reaktiver Gase wie Chlor und Bortrichlorid und insbesondere ihrer Gemische weitgehend unbekannt, insbesondere ihre örtliche Abhängigkeit zwischen ECR-Zone und Substratniveau. Ziel dieses Projektes ist es daher, diese Parameter und deren Einfluss auf die Reaktionskinetik von metallbeschichteten Substraten, aber auch von III/V-Halbleitern, zu untersuchen. Die so erhaltenen Inertialdatensätze werden mit einem Programm zur Simulation der Strukturierung mit hochreaktiven Plasmen modelliert.

由于电子回旋共振 (ECR) 的影响，电磁场在静态状态下的微电子效应将在等离子体中发挥作用。 zur reaktiven Trockenstrukturierung unter Freisetzung flüchtiger Verbindungen eingesetzt（RIE - 反应离子蚀刻）。然而，等离子体的反应性，在等离子体制造过程中，等离子体和温度是最好的。 Weitgehend unbekannt, insbesondere ihre örtliche Abhängigkeit zwischen ECR-Zone und Substratniveau. zu untersuchen。