Organische Dünnschichtdielektrika für high-performance OFETs

用于高性能 OFET 的有机薄膜电介质

• 批准号: 198315737
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Heinz von Seggern
• 金额: --
• 依托单位: Fraunhofer-Einrichtung für Wertstoffkreisläufe und Ressourcenstrategie IWKS
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2015-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/198315737?language=en
• 关键词: Organische; nnschichtdielektrika; performance; OFETs

Zur Erweiterung des bisher anvisierten Einsatzgebietes organischer Bauelemente für low-cost, low-performance Anwendungen ist es unabdingbar, organische Feldeffekttransistoren (OFETs) zu entwickeln, die bei Spannungen ≤ 5 V betrieben werden können. Ausgehend vom Aufbau quervernetzter Polymerblends sollen funktionalisierbare Dünnschichtisolatoren für Feldeffekttransistoren entwickelt und hinsichtlich ihrer Schicht- und Grenzflächeneigenschaften, sowie der elektrischen Eigenschaften der organischen Bauelemente charakterisiert werden. Die angestrebten Schichtdicken sollen im Bereich von 30 - 50 nm liegen, um niedrige Betriebsspannungen zu erreichen. Besondere Herausforderungen liegen in der Erzielung kleiner Oberflächenrauigkeiten (≤ 2 nm), hoher Durchschlagsfestigkeiten (> 1 MV/cm) und der gezielten Einstellung von p- und n-Kanal-Leitung in OFETs durch chemische und/ oder physikalische Funktionalisierung des Dielektrikums.

离开之家麻醉剂Schichtdicken sollen im Bereich von 30 - 50 nm liegen，um niedrige Betriebsspannungen zu erreichen。 OFET 中的化学和/或介电技术的物理功能的安装。

项目成果

Cross-linkable random copolymers as dielectrics for low-voltage organic field-effect transistors

可交联无规共聚物作为低压有机场效应晶体管的电介质

• DOI: 10.1039/c5tc00352k
• 发表时间: 2015-08-27
• 期刊: Journal of Materials Chemistry C
• 影响因子: 6.4
• 作者: E. Simas;E. S. H. Kang;A. Gassmann;E. Katholing;S. Janietz;H. Seggern
• 通讯作者: H. Seggern