Vertical magneto-resistive devices made from hybrid metal/molecules/metal multi-layer systems

由混合金属/分子/金属多层系统制成的垂直磁阻器件

• 批准号: 166262019
• 负责人: Professor Dr. Oliver G. Schmidt
• 金额: --
• 依托单位: Professur Materialsysteme der Nanoelektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2016-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/166262019?language=en
• 关键词: Vertical; magneto; resistive; devices; made

Spin-polarisierbare Moleküle in Tunnelbarrieren können von externen Magnetfeldern manipuliert werden und als echte Spin-Ventile betrieben werden, entweder für die Erzeugung oder die Kontrolle von hochgradig spin-polarisierten elektrischen Strömen. Transport durch solche Moleküle ist bis jetzt auf Metal/Molekül/Metal oder – in deutlich geringerem Ausmaß - auf Metal/Molekül/Halbleiter-Kontakte beschränkt. Der optimale Fall, wäre die Herstellung eines Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontaktes, um die einzigartigen Möglichkeiten der Bandstruktur gezielt dotierter Halbleiter ausnutzen zu können. In erster Nährung, würde die Barrierenhöhe in einem solchen Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt der Energiedifferenz zwischen der Bandkante des Leitungs-, bzw. Valenzbandes und des LUMO, bzw. des HOMO - je nach der Dotierung des Halbleiters - entsprechen. Kann die Barriere über die Dotierungsart des Halbleiters eingestellt werden, könnte der Halbleiter/Molekül/Halbleiter-Kontakt genutzt werden, um den Landungsträgerfluss durch das magnetische Molekül mittels der Dotierhöhe der beiden Halbleiterelektroden zu kontrollieren. Dies würde zum Beispiel Transportstudien durch einen p-dotierten/Molekül/n-dotierten Kontakt erlauben, der neuartige Eigenschaften in seiner I-V Interbandtunneldiodenkennlinie zeigen würde. Des Weiteren wäre eine Technik, die hochintegrative Halbleiter/SAM/Halbleiter Bauelemente ermöglichen könnte von großer Bedeutung. Während die hoch-qualitative Herstellung von Moleküllagen auf Halbleitersubstraten gut etabliert ist (und damit die Herstellung guter Basiskontakte), ist es immer noch eine große Herausforderung, äquivalent gute Gegenkontakte mittels Halbleiter zu realisieren, was bis dato nicht erreicht wurde. Das Ziel dieses Projektes ist es deshalb – erstmals - Molekül-basierte Halbleiter/SAM/Halbleiter Spin-Ventile herzustellen und die Transporteigenschaften solcher vertikalen, aber auch von horizontalen Bauelementen zu untersuchen.

自旋极化分子在隧道屏障中的外部磁力控制和其他自旋通风中的作用，包括对高梯度自旋极化电子结构的控制。 auf Metal/Molekül/Metal oder – in deutlich geringerem Ausmaß - auf Metal/Molekül/Halbleiter-Kontakte beschränkt。停止使用。 HOMO - je nach der Dotierung des Halbleiters - entsprechen。 der Dotierhöhe der beiden Halbleiterelektroden zu kontrollieren。 Weiteren wäre eine Technik、die Hochintegrative Halbleiter/SAM/Halbleiter Bauelemente ermöglichen könnte von großer Bedeutung。 immer große Herausforderung，相当于gute Gegenkontakte mittels Halbleiter zu realisieren，是bis dato nicht erreicht wurde。垂直运输和水平运输。