Zur Korrelation von Struktur und magnetischen Eigenschaften der Modifikationen von (Ga,Mn)As Clustern

(Ga,Mn)As团簇修饰结构与磁性能的相关性研究

• 批准号: 160380380
• 负责人: Dr. Ines Häusler
• 金额: --
• 依托单位: Fachbereich 5.1: Materialographie, Fraktograpie und Alterung technischer Werkstoffe
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/160380380?language=en
• 关键词: Zur; Korrelation; von; Struktur; und

MnAs ist wegen seiner magnetischen Eigenschaften und einer Curie-Temperatur oberhalb der Raumtemperatur in Verbindung mit nichtmagnetischen Halbleitern ein technologisch relevantes Material für die Magnetooptik und Spinoptoelektronik. Aufgabe dieses Projektes ist die umfassende Strukturaufklärung von (Ga,Mn)As-Clustern, die beim Wachstum von MnAs auf GaAs bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) entstehen. Inwieweit mit diesen Clusterstrukturen die Entwicklung eines Bauelementes möglich ist, erfordert einerseits die Bestimmung der quantitativen Zusammensetzung und der bestehenden Gitterverspannungen sowie andererseits die Untersuchung der magnetischen Eigenschaften der Cluster in Abhängigkeit von der Temperatur. Dabei sind Struktur und magnetische Eigenschaften der Modifikationen von (Ga,Mn)As bei den Phasenübergängen aufzuklären. Zur Strukturaufklärung im nm-Bereich werden die Methoden der hochauflösenden analytischen Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) angewandt. Für die integrale Messung der magnetischen Eigenschaften wird die SQUID-Magnetometrie eingesetzt, Aussagen über das magnetische Verhalten einzelner Cluster sollen mittels Lorentzmikroskopie und Elektronen-Holographie gewonnen werden.

MnAs 是磁学和自旋电子学材料相关技术中的磁性特征和居里温度观测值。 (Ga,Mn)As 簇的结构，是金属有机气相外延 (MOVPE) 中 MnAs 和 GaAs 的瓦斯图姆。 Abhängigkeit von der Temperatur 中的集群。 aufzuklären。 Magnetische Verhalten einzelner Cluster sollen mittels Lorentzmikroskopie und Elektronen-Holographie gewonnen werden。

项目成果

Methods of Electron Crystallography as Tools for Materials Analysis

电子晶体学方法作为材料分析工具

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/ssp.186.1
• 发表时间: 2012
• 期刊: Solid State Phenomena
• 作者: W. Neumann;H. Kirmse;I. Häusler;C. Grosse;P. Moeck;S. Rouvimov;M. Beekman;R. Atkins;D.C. Johnson;K. Volz
• 通讯作者: K. Volz