In(Ga)N (0001)-Oberflächen: Präparation und atomare/elektronische Struktur

In(Ga)N (0001) 表面：制备和原子/电子结构

• 批准号: 100062439
• 负责人: Dr. Patrick Vogt
• 金额: --
• 依托单位: Standort Berlin
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2008-12-31 至 2012-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/100062439?language=en
• 关键词: Ga; 0001; Oberfl; chen; Pr

Das Ziel des hier vorgeschlagenen Projekts ist es, die atomare und elektronische Struktur der wachstumsrelevanten (0001)-Oberflächen von ternärem InxGa1-xN mit verschiedenem Indium-Gehalt aufzuklären. InGaN wird als eines der wichtigsten Materialsysteme für zukünftige Anwendungen in den Bereichen Optoelektronik und Sensorik betrachtet. Die Kenntnis der InxGa1-xN Oberflächeneigenschaften ist unerlässlich für ein Verständnis der Grenzflächenstrukturen und elektronischen Eigenschaften von Nitrid-Schichtsystemen und damit auch für eine weitere technologische Entwicklung. Um dieses Ziel zu erreichen, sollen in diesem Projekt stabile Oberflächenrekonstruktionen präpariert, deren atomare Struktur und elektronische Oberflächenzustände aufgeklärt sowie die Bandverbiegung und Ladungsträgerakkumulation an der Oberfläche analysiert werden.Ein essentieller Aspekt dieser Untersuchungen betrifft die Präparation der InGaN Oberflächen unter Ultrahochvakuumbedingungen, den bisher limitierenden Faktor für die InGaN Oberflächenanalytik. Anknüpfend an unsere Voruntersuchungen wollen wir die Präparationsmethodik der thermischen Deoxidation im Vakuum erweitern, um die Stöchiometrie der sich bildenden Oberflächenstrukturen variieren zu können. Durch Angebot von elementaren Ausgangstoffen (MBE) als auch von typischen Metallorganika (MOVPE) sollen die stabilen Oberflächenstrukturen für die verschiedenen Wachstumsumgebungen gesucht werden.

InGaN 等离子器件光学电子和传感器领域的材料系统研究。 und auch für eine weitere technologische Entwicklung。 Ladungsträgerakkumulation an der Oberfläche analysiert werden。 2018-04-20 2018-03-23 ​​2018-03-04 Sollen die stablen Oberflächenstrukturen für die verschiedenen Wachstumsumgebungen gesucht werden。

项目成果

Role of nitridation on polarity and growth of InN by metal-organic vapor phase epitaxy

氮化对金属有机气相外延 InN 极性和生长的影响

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.04.034
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: Duc V. Dinh;D. Skuridina;S. Solopow;M. Pristovsek;P. Vogt;M. Kneissl
• 通讯作者: M. Kneissl

Mobility-limiting mechanisms in polar semiconductor heterostructures

• DOI: 10.1016/j.actamat.2012.02.025
• 发表时间: 2012-04-01
• 期刊: ACTA MATERIALIA
• 影响因子: 9.4
• 作者: Pandey, Saurabh;Cavalcoli, Daniela;Kneissl, Michael
• 通讯作者: Kneissl, Michael

Polarity determination of polar and semipolar (112¯2) InN and GaN layers by valence band photoemission spectroscopy

• DOI: 10.1063/1.4828487
• 发表时间: 2013-11
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: D. Skuridina;D. V. Dinh;B. Lacroix;P. Ruterana;M. Hoffmann;Z. Sitar;M. Pristovsek;M. Kneissl;P. Vogt