Single Electron Charging Effects in Insulating and Semiconducting Microstructures

绝缘和半导体微结构中的单电子充电效应

基本信息

  • 批准号:
    9313726
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1993-08-01 至 1996-07-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

9313726 Chandrasekhar This is an experimental research program focused on low temperature electron transport in nanofabricated systems in which strong electrostatic interactions between electrons lead to Coulomb blockade and single electron charging phenomena. The experiments are designed to increase fundamental understanding of the microscopic mechanism of electron transport in this regime, with emphasis on modifications introduced by quantum effects. The structures consist of short insulating wires placed between metallic contact electrodes. The goal is to understand the origin of the single electron charging effects that have been observed in this novel system. With an eye to potential device applications, different methods of increasing the temperature range over which the Coulomb blockade effects can be observed will be investigated by exploiting some unique properties of insulators. The project involves graduate students in research that is at the cutting edge of nanolithographic fabrication techniques. %%% This experimental project deals with the motion of individual electrons among ultrasmall structures that are fabricated by tracing patterns only a few atoms in width using a finely focused electron beam. The resulting structures show remarkable responses at low temperatures to applied electric and magnetic fields. The response arises from quantum effects that are only poorly understood in the structures under study. The ability of detection motion of a single electron has fundamental interest and is technologically significant as a route to the smallest microelectronics device currently envisioned. The project will employ insulating nanostructures which have potential for allowing operation of the microdevices at higher temperatures. ***
9313726 Chandrasekhar这是一项实验研究计划,侧重于纳米制度系统中的低温电子传输,其中电子之间的强静电相互作用导致库仑阻滞和单电子充电现象。 该实验旨在增加对该制度中电子传输微观机制的基本理解,重点是量子效应引入的修改。 结构由金属接触电极之间放置的短绝缘电线组成。 目的是了解这个新型系统中观察到的单电子充电效应的起源。 为了关注潜在的设备应用,可以通过利用某些独特的绝缘体特性来研究可以观察到库仑封锁效应的温度范围的不同方法。 该项目涉及研究生参与纳米笔迹制造技术的最前沿的研究。 %%%这个实验项目介绍了通过使用精细的电子束在宽度上仅在宽度的少数原子制造的超质结构中单个电子的运动。 最终的结构在低温下对应用的电场和磁场表现出显着的响应。 响应来自量子效应,仅在研究的结构中才能理解。 单个电子的检测运动能力具有根本的兴趣,并且在技术上是通往当前设想的最小微电子设备的途径。 该项目将采用绝缘纳米结构,这些纳米结构具有允许在较高温度下操作的潜力。 ***

项目成果

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