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Design of a high voltage stimulator chip for a stroke rehabilitation system

中风康复系统高压刺激器芯片的设计

基本信息

DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society
影响因子:
--
通讯作者:
Guoxing Wang
中科院分区:
文献类型:
--
作者: Lei Zeng;Xin Yi;Sheng Lu;Yuan Lou;Jianfei Jiang;Hongen Qu;N. Lan;Guoxing Wang研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

This paper describes the design of an 8-channel high voltage stimulator chip for rehabilitation of stroke patients through surface stimulation, which requires high stimulation currents and high compliance voltage. The chip gets stimulation control data through its Serial Peripheral Interface (SPI), and can accordingly generate biphasic stimulation currents with different amplitudes, duration, frequencies and polarities independently for each channel. The current driver is implemented with thick oxide devices with a supply voltage up to 90V. The chip is designed in a 0.35μm X-FAB high voltage process.
本文介绍了一种用于通过表面刺激对中风患者进行康复治疗的8通道高压刺激器芯片的设计,该设计需要高刺激电流和高顺从电压。该芯片通过其串行外设接口(SPI)获取刺激控制数据,并能够相应地为每个通道独立产生具有不同幅度、持续时间、频率和极性的双相刺激电流。电流驱动器采用厚氧化物器件实现,电源电压高达90V。该芯片采用0.35μm X - FAB高压工艺进行设计。
参考文献(0)
被引文献(8)

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Guoxing Wang
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