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Reductive Solid Phase Epitaxy and Physical Properties of Layered Y2O2Bi Thin Film with Bi2- Square Net

Bi2-方网层状Y2O2Bi薄膜的还原固相外延及其物理性能

基本信息

DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者： R. Sei;D. Oka;T. Fukumura;T. Hasegawa研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献（8）
被引文献（7）
Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor
DOI：
10.1126/science.1083212
发表时间：
2003-05-23
期刊：
SCIENCE
影响因子：
56.9
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
Heteroepitaxial growth of a wide-gap p-type semiconductor, LaCuOS
宽禁带 p 型半导体 LaCuOS 的异质外延生长
DOI：
10.1063/1.1494853
发表时间：
2002
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
H. Hiramatsu;Kazushige Ueda;H. Ohta;M. Orita;M. Hirano;H. Hosono
通讯作者：
H. Hosono
Functional metal oxides : new science and novel applications
DOI：
10.1002/9783527654864
发表时间：
2013-09
期刊：
Oncology Reports
影响因子：
4.2
作者：
S. Ogale;T. Venkatesan;M. Blamire
通讯作者：
S. Ogale;T. Venkatesan;M. Blamire

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关联基金

Fabrication of layered Bi oxide single crystalline thin film with anomalous valence by developing reductive solid phase epitaxy
批准号：
26600091
批准年份：
2014
资助金额：
2.5
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
T. Hasegawa
通讯地址:
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