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A novel SOI LDMOS with substrate field plate and variable-k dielectric buried layer

一种新型带衬底场板和可变k介质埋层的SOI LDMOS

基本信息

DOI:
10.1016/j.rinp.2018.05.015
发表时间:
2018-09
影响因子:
5.3
通讯作者:
文艺
中科院分区:
物理与天体物理2区
文献类型:
--
作者: 李琦;文艺研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献(30)
被引文献(10)
300-V High-Side Thin-Layer-SOI Field pLDMOS With Multiple Field Plates Based on Field Implant Technology
DOI:
10.1109/led.2012.2210023
发表时间:
2012-08
期刊:
IEEE Electron Device Letters
影响因子:
4.9
作者:
M. Qiao;Xin Zhou;Yitao He;Heng-juan Wen;Yuanyuan Zhao;Bo Zhang;Zhaoji Li
通讯作者:
M. Qiao;Xin Zhou;Yitao He;Heng-juan Wen;Yuanyuan Zhao;Bo Zhang;Zhaoji Li
Thermal conductivity of ultra low-k dielectrics
DOI:
10.1016/s0167-9317(03)00417-9
发表时间:
2003-11-01
期刊:
MICROELECTRONIC ENGINEERING
影响因子:
2.3
作者:
Delan, A;Rennau, M;Gessner, T
通讯作者:
Gessner, T
Novel Superjunction LDMOS (>950 V) With a Thin Layer SOI
具有薄层 SOI 的新型超结 LDMOS (>950 V)
DOI:
发表时间:
2017
期刊:
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子:
4.9
作者:
Wentong Zhang;Zhenya Zhan;Yang Yu;Shikang Cheng;Yan Gu;Sen Zhang;Xiaorong Luo;Zehong Li;Ming Qiao;Zhaoji Li;Bo Zhang
通讯作者:
Bo Zhang
250 V Thin-Layer SOI Technology With Field pLDMOS for High-Voltage Switching IC
适用于高压开关 IC 的具有现场 pLDMOS 的 250 V 薄层 SOI 技术
DOI:
10.1109/ted.2015.2421292
发表时间:
2015-04
期刊:
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子:
3.1
作者:
Qiao Ming;Zhang Kang;Zhou Xin;Zou Jie;Zhang Bo;Li Zhaoji
通讯作者:
Li Zhaoji
A 300-V Ultra-Low-Specific On-Resistance High-Side p-LDMOS With Auto-Biased n-LDMOS for SPIC
适用于 SPIC 的具有自动偏置 n-LDMOS 的 300V 超低比导通电阻高侧 p-LDMOS
DOI:
10.1109/tpel.2016.2524024
发表时间:
2017
期刊:
IEEE Transactions ON Power Electronics
影响因子:
6.7
作者:
Yi Bo;Chen Xingbi
通讯作者:
Chen Xingbi

数据更新时间:{{ references.updateTime }}

关联基金

具有深槽超结的折叠漂移区SOI LIGBT新结构和耐压模型
批准号:
61464003
批准年份:
2014
资助金额:
48.0
项目类别:
地区科学基金项目
文艺
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