喵ID：spR8fF免责声明

Study on Interface Adhesion between Phase Change Material Film and SiO2 Layer by Nanoscratch Test

纳米划痕试验研究相变材料薄膜与SiO2层界面结合力

基本信息

DOI：
10.1143/jjap.50.091402
发表时间：
2011-09
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
通讯作者：
Feng, Songlin
中科院分区：
物理与天体物理4区
文献类型：
--
作者： Zhou, Xilin;Wu, Liangcai;Song, Zhitang;Rao, Feng;Ren, Kun;Peng, Cheng;Guo, Xiaohui;Liu, Bo;Feng, Songlin研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

Temperature dependent interfacial adhesion strength between phase change material film and a SiO2 layer was investigated employing Nano Indenter®. Phase change materials of Ge2Sb2Te5 and Si2Sb2Te6 were adopted for a comparative study. The decrease of adhe
采用纳米压痕仪研究了相变材料薄膜与二氧化硅层之间随温度变化的界面粘附强度。采用Ge₂Sb₂Te₅和Si₂Sb₂Te₆两种相变材料进行对比研究。粘附力的降低……（原文“adhe”似乎不完整）
参考文献（27）
被引文献（8）
Density changes upon crystallization of Ge2Sb2.04Te4.74 films
DOI：
10.1116/1.1430249
发表时间：
2002-01-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
0
作者：
Njoroge, WK;Wöltgens, HW;Wuttig, M
通讯作者：
Wuttig, M
An experimental investigation on the switching reliability of a phase change memory device with an oxidized TiN electrode
DOI：
10.1063/1.2338130
发表时间：
2006-09
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
D. Kang;Inho Kim;J. Jeong;B. Cheong;D. Ahn;Dongbok Lee;Hyun-Mi Kim;Ki-Bum Kim;Soo‐Hyun Kim
通讯作者：
D. Kang;Inho Kim;J. Jeong;B. Cheong;D. Ahn;Dongbok Lee;Hyun-Mi Kim;Ki-Bum Kim;Soo‐Hyun Kim
Impact of the current density increase on reliability in scaled BJT-selected PCM for high-density applications
DOI：
10.1109/irps.2010.5488760
发表时间：
2010-05
期刊：
2010 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
0
作者：
A. Redaelli;A. Pirovano;I. Tortorelli;F. Ottogalli;A. Ghetti;L. Laurin;A. Benvenuti
通讯作者：
A. Redaelli;A. Pirovano;I. Tortorelli;F. Ottogalli;A. Ghetti;L. Laurin;A. Benvenuti
Reliability study of phase-change nonvolatile memories
DOI：
10.1109/tdmr.2004.836724
发表时间：
2004-09-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
影响因子：
2
作者：
Pirovano, A;Redaelli, A;Bez, R
通讯作者：
Bez, R
Low-field amorphous state resistance and threshold voltage drift in chalcogenide materials
DOI：
10.1109/ted.2004.825805
发表时间：
2004-05-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
Pirovano, A;Lacaita, AL;Bez, R
通讯作者：
Bez, R

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

新型相变材料的设计与优选
批准号：
60906004
批准年份：
2009
资助金额：
19.0
项目类别：
青年科学基金项目
Feng, Songlin
通讯地址:
--
所属机构:
--
电子邮件地址：
--
免责声明免责声明
1、猫眼课题宝专注于为科研工作者提供省时、高效的文献资源检索和预览服务；
2、网站中的文献信息均来自公开、合规、透明的互联网文献查询网站，可以通过页面中的“来源链接”跳转数据网站。
3、在猫眼课题宝点击“求助全文”按钮，发布文献应助需求时求助者需要支付50喵币作为应助成功后的答谢给应助者，发送到用助者账户中。若文献求助失败支付的50喵币将退还至求助者账户中。所支付的喵币仅作为答谢，而不是作为文献的“购买”费用，平台也不从中收取任何费用，
4、特别提醒用户通过求助获得的文献原文仅用户个人学习使用，不得用于商业用途，否则一切风险由用户本人承担；
5、本平台尊重知识产权，如果权利所有者认为平台内容侵犯了其合法权益，可以通过本平台提供的版权投诉渠道提出投诉。一经核实，我们将立即采取措施删除/下架/断链等措施。
我已知晓