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High-current-density high-voltage normally-off AlGaN/GaN hybrid-gate HEMT with low on-resistance

低导通电阻高电流密度高电压常断 AlGaN/GaN 混合栅 HEMT

基本信息

DOI：
10.1049/el.2010.1950
发表时间：
2010-11
期刊：
iet electronics letters
影响因子：
--
通讯作者：
陈万军
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者： 陈万军研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

A high-voltage normally-off AlGaN/GaN hybrid-gate HEMT (HG-HEMT) with high current-density and low on-resistance on Si substrate is fabricated. The proposed device features a hybrid-gate consisting of a short E-mode gate and a long D-mode gate. In the off
在硅衬底上制备了一种具有高电流密度和低导通电阻的高压常关型AlGaN/GaN混合栅高电子迁移率晶体管（HG - HEMT）。所提出的器件具有一个由短的E型栅和长的D型栅组成的混合栅。在关断状态下……
参考文献（6）
被引文献（9）
High-performance AlGaN/GaN lateral field-effect rectifiers compatible with high electron mobility transistors
DOI：
10.1063/1.2951615
发表时间：
2008-06-23
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Chen, Wanjun;Wong, King-Yuen;Chen, Kevin J.
通讯作者：
Chen, Kevin J.
Punch-through in short-channel AlGaN/GaN HFETs
DOI：
10.1109/ted.2005.862702
发表时间：
2006-01
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
M. Uren;K. Nash;R. Balmer;T. Martin;E. Morvan;N. Caillas;S. Delage;D. Ducatteau;B. Grimbert
通讯作者：
M. Uren;K. Nash;R. Balmer;T. Martin;E. Morvan;N. Caillas;S. Delage;D. Ducatteau;B. Grimbert
High breakdown voltage AlGaN-GaN Power-HEMT design and high current density switching behavior
DOI：
10.1109/ted.2003.819248
发表时间：
2003-12-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
Saito, W;Takada, Y;Ohashi, H
通讯作者：
Ohashi, H
Single-Chip Boost Converter Using Monolithically Integrated AlGaN/GaN Lateral Field-Effect Rectifier and Normally Off HEMT
DOI：
10.1109/led.2009.2015897
发表时间：
2009-05-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
Chen, Wanjun;Wong, King-Yuen;Chen, Kevin J.
通讯作者：
Chen, Kevin J.
High-Performance Integrated Dual-Gate AlGaN/GaN Enhancement-Mode Transistor
DOI：
10.1109/led.2010.2055825
发表时间：
2010-09-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
Lu, Bin;Saadat, Omair Irfan;Palacios, Tomas
通讯作者：
Palacios, Tomas

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

高性能AlGaN/GaN复合阳极场控功率整流器新结构及模型
批准号：
60906037
批准年份：
2009
资助金额：
24.0
项目类别：
青年科学基金项目
陈万军
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