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AlN Films Fabricated by Sapphire Nitridation Method

蓝宝石氮化法制备AlN薄膜

基本信息

DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
H. Fukuyama
中科院分区:
文献类型:
--
作者: 久保山宏;et al.;H. Fukuyama研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献(36)
被引文献(0)
Thin film aluminum nitride surface acoustic wave resonators for quantum acoustodynamics
DOI:
10.1063/5.0158083
发表时间:
2023-04
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
Wenhui Jiang;Junfeng Chen;Xiaoyu Liu;Z. Niu;Kuang Liu;W. Peng;Zhen Wang;Zhirong Lin
通讯作者:
Wenhui Jiang;Junfeng Chen;Xiaoyu Liu;Z. Niu;Kuang Liu;W. Peng;Zhen Wang;Zhirong Lin
Effect of nitrogen flow ratio on the structure and optical properties of AlN film
DOI:
10.1016/j.vacuum.2023.112829
发表时间:
2023-11
期刊:
Vacuum
影响因子:
4
作者:
Xu Jiang;Yanxia Wu;Jiawei Qi;Ying Liu;Yongsheng Wang;Jie Gao;H. Hei;Shengwang Yu
通讯作者:
Xu Jiang;Yanxia Wu;Jiawei Qi;Ying Liu;Yongsheng Wang;Jie Gao;H. Hei;Shengwang Yu
The characterization of aluminum nitride thin films prepared by dual ion beam sputtering
双离子束溅射氮化铝薄膜的表征
DOI:
10.1016/j.surfcoat.2005.07.046
发表时间:
2006
期刊:
Surface & Coatings Technology
影响因子:
5.4
作者:
Hong;Sheng Han;H. Shih
通讯作者:
H. Shih
Improvement of the PLD process assisted by RF plasma for AlN growth
射频等离子体辅助的 PLD 工艺改进用于 AlN 生长
DOI:
10.1007/s00339-003-2325-z
发表时间:
2005
期刊:
Applied Physics A
影响因子:
0
作者:
A. Basillais;R. Benzerga;H. Sánchez;E. Le Menn;C. Boulmer;J. Perrière
通讯作者:
J. Perrière
Investigations on the Passivation Mechanism of AlN:H and AlN:H-SiN:H Stacks
AlN:H 和 AlN:H-SiN:H 叠层钝化机理的研究
DOI:
10.1016/j.egypro.2014.08.062
发表时间:
2014
期刊:
Energy Procedia
影响因子:
0
作者:
G. Krugel;Franziska Jenkner;A. Moldovan;W. Wolke;J. Rentsch;R. Preu
通讯作者:
R. Preu

数据更新时间:{{ references.updateTime }}

关联基金

サファイア窒化法によるAlN薄膜をベースにした高品質バルク結晶への展開
批准号:
19360341
批准年份:
2007
资助金额:
12.98
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
H. Fukuyama
通讯地址:
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所属机构:
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电子邮件地址:
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