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Nanoepitaxy of Anatase-type TiO2 on CeO2 Nanocubes Self-Assembled on a Si Substrate for Fabricating Well-Aligned Nanoscale Heterogeneous Interfaces

锐钛矿型 TiO2 在 Si 基底上自组装 CeO2 纳米立方体上的纳米外延，用于制造对准良好的纳米级异质界面

基本信息

DOI：
10.1021/cg500821z
发表时间：
2014-08
期刊：
CRYSTAL GROWTH %26 DESIGN
影响因子：
--
通讯作者：
Hojo D
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者： Hojo Daisuke;Saito Mitsuhiro;Wang Zhongchang;Ikuhara Yuichi;Hitosugi Taro;Adschiri Tadafumi;Ohsawa Takeo;Togashi Takanari;Sakuda Yusuke;Asahina Shunsuke;Ikuhara Yuichi;Adschiri Tadafumi;Hojo D研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
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文献摘要

Nanoscale epitaxy or nanoepitaxy for fabricating macroscopically well-aligned nanoscale heterogeneous interfaces on a Si substrate is demonstrated, combining bottom-up and top-down processes efficiently. TiO2 sputtered in vacuum was selectively nucleated
展示了在硅衬底上制造宏观上良好排列的纳米级异质界面的纳米级外延（或纳米外延），有效地结合了自下而上和自上而下的工艺。真空中溅射的二氧化钛被选择性成核。
参考文献（49）
被引文献（4）
The Nature of Silica-Alumina Catalysts
DOI：
10.1021/j150556a018
发表时间：
1957-10
期刊：
The Journal of Physical Chemistry
影响因子：
0
作者：
T. J. Gray
通讯作者：
T. J. Gray
Electroreflectance at a Semiconductor-Electrolyte Interface
DOI：
10.1103/physrevlett.15.883
发表时间：
1965-12
期刊：
Physical Review Letters
影响因子：
8.6
作者：
K. Shaklee;F. Pollak;M. Cardona
通讯作者：
K. Shaklee;F. Pollak;M. Cardona
Epitaxial CdSe-Au Nanocrystal Heterostructures by Thermal Annealing
DOI：
10.1021/nl101482q
发表时间：
2010-08-01
期刊：
NANO LETTERS
影响因子：
10.8
作者：
Figuerola, Albert;van Huis, Marijn;Manna, Liberato
通讯作者：
Manna, Liberato
Core-Shell Nanoparticles As Building Blocks for the Bottom-Up Production of Functional Nanocomposites: PbTe-PbS Thermoelectric Properties
DOI：
10.1021/nn305971v
发表时间：
2013-03-01
期刊：
ACS NANO
影响因子：
17.1
作者：
Ibanez, Maria;Zamani, Reza;Cabot, Andreu
通讯作者：
Cabot, Andreu
Polypeptide-guided assembly of conducting polymer nanocomposites.
DOI：
10.1039/c0nr00299b
发表时间：
2010-10
期刊：
Nanoscale
影响因子：
6.7
作者：
M. Hamedi;Jens A. Wigenius;F. Tai;P. Björk;D. Aili
通讯作者：
M. Hamedi;Jens A. Wigenius;F. Tai;P. Björk;D. Aili

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

超硬纳米多层膜微结构与力学性能及其优化
批准号：
11332013
批准年份：
2013
资助金额：
335.0
项目类别：
重点项目
Hojo D
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