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Effect of lateral vapor phase diffusion during the selective growth of InGaN/GaN MQW on semipolar and nonpolar GaN stripes

InGaN/GaN MQW 在半极性和非极性 GaN 条带上选择性生长过程中横向气相扩散的影响

基本信息

DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
phys.stat.sol.(a)
影响因子：
--
通讯作者：
H.Amano
中科院分区：
文献类型：
--
作者： T.Tanikawa;Y.Honda;M.Yamaguchi;H.Amano研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献（11）
被引文献（8）
Stability of (1(1)over-bar-00) m-plane GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition
DOI：
10.1143/jjap.45.8644
发表时间：
2006-11-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
0
作者：
Imer, Bilge;Wu, Feng;DenBaars, Steven P.
通讯作者：
DenBaars, Steven P.
Growth of ( 1 1 0 1 ) GaN on a 7-degree off-oriented (0 0 1)Si substrate by selective MOVPE
通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向 (0 0 1)Si 衬底上生长 ( 1 1 0 1 ) GaN
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01353-2
发表时间：
2002
期刊：
Food Chemistry
影响因子：
8.8
作者：
Y. Honda;N. Kameshiro;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
Growth of non-polar (1 1 2¯ 0)GaN on a patterned (1 1 0)Si substrate by selective MOVPE
通过选择性 MOVPE 在图案化 (1 1 0)Si 衬底上生长非极性 (1 1 2´ 0)GaN
DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Tanikawa;D. Rudolph;T. Hikosaka;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
Strain-induced polarization in wurtzite III-nitride semipolar layers
DOI：
10.1063/1.2218385
发表时间：
2006-07-15
期刊：
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.2
作者：
Romanov, A. E.;Baker, T. J.;Speck, J. S.
通讯作者：
Speck, J. S.
Monolithic Formation of Metal Organic Chemical Vapor Deposition Grown Multi-wavelength Vertical Cavities with Highly Strained GaInAs/GaAs Quantum Wells on GaAs (311)B
GaAs (311)B 上高应变 GaInAs/GaAs 量子阱的金属有机化学气相沉积生长多波长垂直腔的整体形成
DOI：
10.1143/jjap.40.4056
发表时间：
2001
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
M. Arai;N. Nishiyama;M. Azuchi;A. Matsutani;F. Koyama;K. Iga
通讯作者：
K. Iga

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

加工Si基板上への非極性面GaNの選択MOVPE成長に関する研究
批准号：
10J08362
批准年份：
2010
资助金额：
0.9
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
H.Amano
通讯地址:
--
所属机构:
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电子邮件地址：
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