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Fabrication and Characterization of a High Q Microdisc Laser Using InAs Quantum Dot Active Regions

使用 InAs 量子点有源区域的高 Q 微盘激光器的制造和表征

基本信息

DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Nanotechnology Vol.18
影响因子:
--
通讯作者:
and I. Suemune
中科院分区:
文献类型:
--
作者: P. Thilakan;G. Sasikala;and I. Suemune研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献(14)
被引文献(6)
GaNAs as Strain Compensating Layer for 1.55 µm Light Emission from InAs Quantum Dots
GaN 作为 InAs 量子点 1.55 µm 光发射的应变补偿层
DOI:
10.1143/jjap.42.5598
发表时间:
2003
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
S. Ganapathy;Xi Zhang;I. Suemune;K. Uesugi;H. Kumano;B. J. Kim;T. Seong
通讯作者:
T. Seong
Manipulating the energy levels of semiconductor quantum dots
DOI:
10.1103/physrevb.59.15368
发表时间:
1999-06-15
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
Fafard, S;Wasilewski, ZR;Piva, PG
通讯作者:
Piva, PG
Fabrication and time-resolved studies of visible microdisk lasers
可见微盘激光器的制造和时间分辨研究
DOI:
10.1063/1.1519332
发表时间:
2003
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
V. Zwiller;S. Falth;J. Persson;W. Seifert;L. Samuelson;G. Björk
通讯作者:
G. Björk
Evidence for strain in and around InAs quantum dots in GaAs from ion-channeling experiments
来自离子通道实验的 GaAs 中 InAs 量子点内部和周围应变的证据
DOI:
10.1103/physrevb.61.8270
发表时间:
2000
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
L. Selen;L. J. Ijzendoorn;M. Voigt;P. Koenraad
通讯作者:
P. Koenraad

数据更新时间:{{ references.updateTime }}

关联基金

Single-Photon Generation and Detection and Its Conversion to Electron Spin States for Quantum Information Applications
批准号:
17068001
批准年份:
2005
资助金额:
44.48
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
and I. Suemune
通讯地址:
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所属机构:
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