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Effect of Electron Injection on Minority Carrier Transport in 10 MeV Proton Irradiated β-Ga 2 O 3 Schottky Rectifiers

电子注入对 10 MeV 质子辐照 β-Ga 2 O 3 肖特基整流器中少数载流子输运的影响

基本信息

DOI:
10.1149/2162-8777/ab902b
发表时间:
2020
影响因子:
2.2
通讯作者:
Pearton, Stephen J.
中科院分区:
材料科学4区
文献类型:
--
作者: Modak, Sushrut;Chernyak, Leonid;Khodorov, Sergey;Lubomirsky, Igor;Ruzin, Arie;Xian, Minghan;Ren, Fan;Pearton, Stephen J.研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
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文献摘要

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关联基金

Electrical mitigation of radiation-induced defects in AlGaN/GaN photovoltaic detectors
批准号:
1802208
批准年份:
2018
资助金额:
32.5
项目类别:
Standard Grant
Pearton, Stephen J.
通讯地址:
--
所属机构:
--
电子邮件地址:
--
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