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Research on double-barrier resonant tunneling effect based stress measurement methods

基于双势垒共振隧道效应的应力测量方法研究

基本信息

DOI:
10.1016/j.sna.2008.12.015
发表时间:
2009-03
影响因子:
4.6
通讯作者:
中科院分区:
工程技术3区
文献类型:
--
作者: 研究方向: -- MeSH主题词: --
关键词: --
来源链接:pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献(22)
被引文献(3)
Piezoelectric effect in (001)‐ and (111)‐oriented double‐barrier resonant tunneling devices
DOI:
10.1063/1.362382
发表时间:
1996-05
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
L. Cong;J. Albrecht;M. Nathan;P. Ruden
通讯作者:
L. Cong;J. Albrecht;M. Nathan;P. Ruden
A PIEZORESISTIVE GAAS PRESSURE SENSOR WITH GAAS/ALGAAS MEMBRANE TECHNOLOGY
DOI:
10.1088/0960-1317/5/2/021
发表时间:
1995-06-01
期刊:
JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING
影响因子:
2.3
作者:
DEHE, A;FRICKE, K;HARTNAGEL, HL
通讯作者:
HARTNAGEL, HL
Resonant-tunneling-diode relaxation oscillator☆
DOI:
10.1016/s0038-1101(00)00105-2
发表时间:
2000-10
期刊:
Solid-state Electronics
影响因子:
1.7
作者:
C. Chen;R. Mathews;L. Mahoney;S. Calawa;J. Sage;K. Molvar;C. Parker;P. Maki;T. Sollner
通讯作者:
C. Chen;R. Mathews;L. Mahoney;S. Calawa;J. Sage;K. Molvar;C. Parker;P. Maki;T. Sollner
Equivalent circuit parameters of resonant tunneling diodes extracted from self-consistent Wigner-Poisson simulation
DOI:
10.1109/16.915658
发表时间:
2001-04
期刊:
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子:
3.1
作者:
P. Zhao;H. Cui;D. Woolard;K. Jensen;F. Buot
通讯作者:
P. Zhao;H. Cui;D. Woolard;K. Jensen;F. Buot
A simple, high performance piezoresistive accelerometer
DOI:
10.1109/sensor.1991.148811
发表时间:
1991-06
期刊:
TRANSDUCERS '91: 1991 International Conference on Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers
影响因子:
0
作者:
J.T. Suminto-
通讯作者:
J.T. Suminto-

数据更新时间:{{ references.updateTime }}

关联基金

共振隧穿量子阱薄膜结构的压阻特性研究
批准号:
50775209
批准年份:
2007
资助金额:
32.0
项目类别:
面上项目
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