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Hole-transmission enhancement in 4H-silicon carbide light triggered thyristor for low loss

4H 碳化硅光触发晶闸管的空穴传输增强技术可实现低损耗

基本信息

DOI：
10.1088/1361-6641/abce8b
发表时间：
2020-02
期刊：
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
影响因子：
1.9
通讯作者：
Xu Bei
中科院分区：
工程技术4区
文献类型：
--
作者： Wang Xi;Pu Hongbin;Hu Jichao;Liu Qing;Chen Chunlan;Xu Bei研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

In this paper, a 20 kV silicon carbide (SiC) light triggered thyristor (LTT) with n-type blocking base is simulated using Synopsys Sentaurus TCAD. In order to reduce the power dissipation, a method that enhances the hole-transmission through electric fiel
在本文中，使用新思科技Sentaurus TCAD对一种具有n型阻断基区的20 kV碳化硅（SiC）光触发晶闸管（LTT）进行了模拟。为了降低功耗，一种通过电场增强空穴传输的方法……
参考文献（18）
被引文献（1）
Analytical and numerical studies of p+-emitters in silicon carbide bipolar devices
DOI：
10.1088/0268-1242/26/5/055024
发表时间：
2011-05
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
M. Levinshtein;T. T. Mnatsakanov-T.;A. Agarwal;J. Palmour
通讯作者：
M. Levinshtein;T. T. Mnatsakanov-T.;A. Agarwal;J. Palmour
Simulation-Based Study About the Lifetime and Incident Light Properties Dependence of the Optically Triggered 4H-SiC Thyristors Operation
DOI：
10.1109/ted.2017.2657223
发表时间：
2017-02
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
J. Hasegawa;Loris Pace;L. Phung;M. Hatano;D. Planson
通讯作者：
J. Hasegawa;Loris Pace;L. Phung;M. Hatano;D. Planson
Performance Comparison of ETT- and LTT-Based Pulse Power Crowbar Switch
DOI：
10.1109/tps.2017.2759668
发表时间：
2017-10
期刊：
IEEE Transactions on Plasma Science
影响因子：
1.5
作者：
T. G. Subhash Joshi;V. John
通讯作者：
T. G. Subhash Joshi;V. John
4H-SiC n-Channel Insulated Gate Bipolar Transistors on (0001) and (000-1) Oriented Free-Standing n- Substrates
DOI：
10.1109/led.2016.2521164
发表时间：
2016-03-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
Chowdhury, Sauvik;Hitchcock, Collin;Chow, T. Paul
通讯作者：
Chow, T. Paul
4H-SiC double-layer thin n-base light triggered thyristor with a trenched-junction isolated amplifying gate
4H-SiC 双层薄型 n 基极光触发晶闸管，带沟槽结隔离放大栅极
DOI：
10.1016/j.spmi.2018.09.004
发表时间：
2018-10
期刊：
Superlattices and Microstructures
影响因子：
3.1
作者：
Xi Wang;Hongbin Pu;Qing Liu;Liqi An
通讯作者：
Liqi An

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

超高压碳化硅光触发晶闸管关键技术研究
批准号：
51677149
批准年份：
2016
资助金额：
65.0
项目类别：
面上项目
Xu Bei
通讯地址:
--
所属机构:
--
电子邮件地址：
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