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High Speed Phase Change Memory Based on SnTe-Doped Ge2Sb2Te5 Material

基于SnTe掺杂Ge2Sb2Te5材料的高速相变存储器

基本信息

DOI：
10.1149/2.006203esl
发表时间：
2012-01-01
期刊：
ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
影响因子：
--
通讯作者：
Feng, Songlin
中科院分区：
其他
文献类型：
Article
作者： Xu, Jian'an;Rao, Feng;Feng, Songlin研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

SnTe-doped Ge2Sb2Te5 material is proposed to increase the phase change speed. The reversible phase change can be achieved by a voltage pulse as short as 30ns. Laser-induced crystallization speed is accelerated due to SnTe incorporation. SnTe plays a same role as Sn in accelerating phase change speed. Furthermore, the phase separation in Sn-Ge2Sb2Te5 is supposed to be inhibited in SnTe-Ge2Sb2Te5. (C) 2011 The Electrochemical Society. [DOI: 10.1149/2.006203esl] All rights reserved.
提出用SnTe掺杂Ge₂Sb₂Te₅材料来提高相变速度。通过短至30纳秒的电压脉冲就能实现可逆相变。由于掺入了SnTe，激光诱导结晶速度加快。SnTe在加速相变速度方面与Sn起到相同的作用。此外，据推测在SnTe - Ge₂Sb₂Te₅中，Sn - Ge₂Sb₂Te₅中的相分离会受到抑制。（C）2011电化学学会。[DOI: 10.1149/2.006203esl]版权所有。
参考文献（21）
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Feng, Songlin
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