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A SPICE model for a phase-change memory cell based on the analytical conductivity model

基于分析电导率模型的相变存储单元 SPICE 模型

基本信息

DOI：
10.1088/1674-4926/33/11/114004
发表时间：
2012-11
期刊：
Chinese Journal of Semiconductors
影响因子：
--
通讯作者：
Wei Yiqun,Lin Xinnan~+,Jia Yuchao,Cui Xiaole He Ji
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者： 崔小乐;何进;张兴;Wei Yiqun,Lin Xinnan~+,Jia Yuchao,Cui Xiaole He Ji研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

By way of periphery circuit design of the phase-change memory, it is necessary to present an accurate compact model of a phase-change memory cell for the circuit simulation. Compared with the present model, the model presented in this work includes an ana
通过相变存储器的外围电路设计，有必要为电路模拟提供一个精确的相变存储单元紧凑模型。与现有的模型相比，本工作中提出的模型包括一个……（原文“ana”不完整）
参考文献（13）
被引文献（1）
Verilog-A model for phase change memory simulation
DOI：
10.1109/icsict.2008.4734588
发表时间：
2008-12
期刊：
2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
影响因子：
0
作者：
K. C. Kwong;Lin Li;Jin He;M. Chan
通讯作者：
K. C. Kwong;Lin Li;Jin He;M. Chan
Universal HSPICE model for chalcogenide based phase change memory elements
DOI：
10.1109/nvmt.2004.1380812
发表时间：
2004-11
期刊：
Proceedings. 2004 IEEE Computational Systems Bioinformatics Conference
影响因子：
0
作者：
X. Q. Wei;Luping Shi;Rong Zhao;X. Miao;T. C. Chong;W. Rajan;B. S. Quek
通讯作者：
X. Q. Wei;Luping Shi;Rong Zhao;X. Miao;T. C. Chong;W. Rajan;B. S. Quek
Current status of the phase change memory and its future
DOI：
10.1109/iedm.2003.1269271
发表时间：
2003-01-01
期刊：
IEEE International Electron Devices Meeting 2003
影响因子：
0
作者：
Lai, S.
通讯作者：
Lai, S.
Status and challenges of phase change memory modeling
DOI：
10.1016/j.sse.2008.04.020
发表时间：
2008-09
期刊：
Solid-state Electronics
影响因子：
1.7
作者：
A. Lacaita;D. Ielmini;D. Mantegazza
通讯作者：
A. Lacaita;D. Ielmini;D. Mantegazza
Electronic switching in phase-change memories
DOI：
10.1109/ted.2003.823243
发表时间：
2004-03-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
Pirovano, A;Lacaita, AL;Bez, R
通讯作者：
Bez, R

数据更新时间：{{ references.updateTime }}

关联基金

相变存储器件OTS与OMS物理机理和模型研究
批准号：
61176099
批准年份：
2011
资助金额：
65.0
项目类别：
面上项目
Wei Yiqun,Lin Xinnan~+,Jia Yuchao,Cui Xiaole He Ji
通讯地址:
--
所属机构:
--
电子邮件地址：
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